半导体结构、半导体结构的制备方法及装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115831711A(43)申请公布日2023.03.21(21)申请号202211475847.6(22)申请日2022.11.23(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人余鹏祥(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师胡明霞刘芳(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/316(2006.01)H01L23/532(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称半导体结构、半导体结构的制备方法及装置(57)摘要本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的制备成本高的技术问题，该制备方法包括提供衬底，衬底中形成有沟槽；向衬底的表面提供硅氧聚合物溶液，并此案有旋涂电介质工艺将硅氧聚合物溶液旋涂形成硅氧聚合物层，硅氧聚合物溶液中含有掺杂元素，掺杂元素包括硼元素和磷元素；对硅氧聚合物层进行热处理，其中，热处理的温度阈值为120℃～150℃。对硅氧聚合物层照射预设时长的超声波，以形成含有氢氧化硅键的多孔硅层；向多孔硅层提供氧化气体，氧化气体与多孔硅层中的氢氧化硅键反应，以形成硼磷硅玻璃膜；其中，硼磷硅玻璃膜填充沟槽。本申请能够降低半导体结构的制备成本。CN115831711ACN115831711A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有沟槽；向所述衬底的表面提供硅氧聚合物溶液，并采用旋涂电介质工艺将所述硅氧聚合物溶液旋涂形成硅氧聚合物层，所述硅氧聚合物溶液中含有掺杂元素，所述掺杂元素包括硼元素和磷元素；对所述硅氧聚合物层进行热处理，其中，所述热处理的温度阈值为120℃～150℃；对所述硅氧聚合物层照射预设时长的超声波，以形成含有氢氧化硅键的多孔硅层；向所述多孔硅层提供氧化气体，所述氧化气体与所述多孔硅层中的所述氢氧化硅键反应，以形成硼磷硅玻璃膜；其中，所述硼磷硅玻璃膜填充所述沟槽。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述硅氧聚合物层进行热处理的所述温度阈值为130℃。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述硅氧聚合物溶液包括聚硅氧烷、三乙基硼、磷酸三乙酯以及溶剂。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述聚硅氧烷的浓度为5％～20％。5.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化气体包括臭氧、氧气、氮化氧、氮化二氧、二氧化氮、氧化碳中的至少一种。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化气体包括臭氧。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述臭氧的浓度为5％～15％。8.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述旋涂电介质工艺中旋涂转速为500r/min～1500r/min。9.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述超声波的频率为40kHz～60kHz；和/或，所述超声波的功率为500W～600W。10.根据权利要求1‑4中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述硅氧聚合物层照射所述超声波的时长为小于等于3min。11.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1‑10中任一项所述的半导体结构的制备方法制备而成，包括：衬底，所述衬底具有沟槽；硼磷硅玻璃膜，填充所述沟槽。12.一种半导体结构的制备装置，其特征在于，包括：第一腔室，所述第一腔室内设置有旋涂电介质装置和加热机台，所述旋涂电介质装置包括旋涂机台和旋涂机头，所述旋涂机头位于所述旋涂机台的上方并可相对所述旋涂机台绕所述旋涂机台的竖直轴线旋转；其中，所述旋涂机台被配置为承载衬底，所述旋涂机头被配置为旋涂所述衬底表面上的硅氧聚合物溶液；所述加热机台被配置为加热所述旋涂机台上的所述衬底；第二腔室，所述第二腔室内设置有承载台和位于所述承载台上方的超声波装置，所述承载台被配置为承载所述衬底，所述超声波装置被配置为向所述衬底照射超声波；2CN115831711A权利要求书2/2页气体通道，与所述第二腔室连通，所述气体通道被配置向所述第二腔室内提供氧化气体。13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，还包括输送装置，设置于所述第一腔室和所述第二腔室之间，所述输送装置被配置为将所述第一腔室内的所述衬底输送至所述第二腔室内。14.根据权利要求12所述的半导体结构的制备装置，其特征在于，还包括抽气装置，所述第二腔室具有排气通道，所述抽气装置被配置为经所述排气