一种快速退火的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115565873A(43)申请公布日2023.01.03(21)申请号202211115107.1(22)申请日2022.09.14(71)申请人中环领先半导体材料有限公司地址214000江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道(72)发明人罗昊姚科新黄春峰曹锦伟李仕权(74)专利代理机构苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32474专利代理师冷泠(51)Int.Cl.H01L21/324(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种快速退火的方法(57)摘要本发明公开了一种快速退火的方法，其退火方法包括以下步骤：S1、首先可将立式退火炉的顶部和侧面以及门体向下位置依次进行同时开设多个风道，并且进行通风管道的安装和对接排布，并对管道进行实时测试实现贯通通风，通过对风道重新布局进行实时调控温度；S2、然后在相应的风道内侧安装相应的通风排风装置，将通风排风装置通过导线外界电源和控制开关，并且将通风排风装置与外部相应的风力调节控制器进行实时电性连接；S3、最好可根据实际排风通风的需要进行实时控制调节通风排风装置运行功率。本发明实现了硅片快速降温的效果，有助于更高效的生产，退火更充分，同时使硅片电阻率更加稳定。CN115565873ACN115565873A权利要求书1/1页1.一种快速退火的方法，其特征在于：其退火方法包括以下步骤：S1、首先可将立式退火炉的顶部和侧面以及门体向下位置依次进行同时开设多个风道，并且进行通风管道的安装和对接排布，并对管道进行实时测试实现贯通通风，通过对风道重新布局进行实时调控温度；S2、然后在相应的风道内侧安装相应的通风排风装置，将通风排风装置通过导线外界电源和控制开关，并且将通风排风装置与外部相应的风力调节控制器进行实时电性连接；S3、最好可根据实际排风通风的需要进行实时控制调节通风排风装置运行功率，进而实现通过对通风排风装置的转速和马力进行实时调节，最终实现气流量大小控制达到硅片快速降温的目的。2.根据权利要求1所述的一种快速退火的方法，其特征在于：所述退火初始降温的实验对比时间段分别为5分钟、10分钟和20分钟，且风道之间的开设间距相等。3.根据权利要求1所述的一种快速退火的方法，其特征在于：所述风道的内侧皆设置有能够对灰尘颗粒进行过滤的网罩，且通风排风管道皆采用耐高温的不锈钢材质。2CN115565873A说明书1/3页一种快速退火的方法技术领域[0001]本发明涉及硅片退火工艺技术领域，具体为一种快速退火的方法。背景技术[0002]在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑，地壳中含量达25.8％的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉，由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。[0003]目前硅片在进行高温退火时，由于设备构造问题，硅片在进行冷却时硅片产生的热量不能迅速排除，导致机台内部腔体内部温度过高，硅片冷却时间过长，硅片温度无法迅速跳过氧施主形成温度，最终会导致产品的电阻率异常偏移，无法显示正常电阻率，严重影响产品的良率情况，无法充分利用机台产能，严重制约了生产线的效率；传统立式退火炉降温方式是通过机台排风方式进行排热，少部分通过侧向排除，但是由于排风量受限，以及排风方式等原因，导致立式晶舟上半部分硅片降温速率过慢，导致工艺时间过长。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种快速退火的方法，以解决上述背景技术中提出的目前硅片在进行高温退火时，由于设备构造问题，硅片在进行冷却时硅片产生的热量不能迅速排除，导致机台内部腔体内部温度过高，硅片冷却时间过长，硅片温度无法迅速跳过氧施主形成温度，最终会导致产品的电阻率异常偏移，无法显示正常电阻率，严重影响产品的良率情况，无法充分利用机台产能，严重制约了生产线的效率；传统立式退火炉降温方式是通过机台排风方式进行排热，少部分通过侧向排除，但是由于排风量受限，以及排风方式等原因，导致立式晶舟上半部分硅片降温速率过慢，导致工艺时间过长的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种快速退火的方法，其退火方法包括以下步骤：[0006]S1、首先可将立式退火炉的顶部和侧面以及门体向下位置依次进行同时开设多个风道，并且进行通风管道的安装和对接排布，并对管道进行实时测试实现贯通通风，通过对风道重新布局进行实时调控温度。[0007]S2、然后在相应的风道内侧安装相应的通风排风装置，将通风排风装置通过导线外界电源和控制开关，并且将通风排风装置与外部相应的风力调节控制器进行实时电性连接。[0008]S