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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115621186A(43)申请公布日2023.01.17(21)申请号202210658588.4(22)申请日2022.06.11(71)申请人君原电子科技(海宁)有限公司地址314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号1514室(72)发明人李君石锗元陈茂雄肖伟(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)B24B7/22(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种静电卡盘及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种静电卡盘及其制备方法,属于静电卡盘技术领域,所述静电卡盘包括底座和设置在所述底座上的陶瓷板,所述陶瓷板包括圆盘式的上盘体和圆盘式的下盘体,所述上盘体和所述下盘体间设有电极层,所述上盘体的底部设有与所述下盘体的外侧壁配合的凹槽,所述电极层设置在所述凹槽中,所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁平行,所述制造方法包括:分别烧制陶瓷材料的所述上盘体和所述下盘体,所述上盘体烧结完成后具有所述凹槽;打磨平整所述上盘体的上侧壁,并且打磨所述凹槽的上侧壁,使得所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁平行;在所述凹槽的上侧壁上印刷所述电极层;将所述下盘体嵌入到所述凹槽中放入到烧结炉中烧结。CN115621186ACN115621186A权利要求书1/1页1.一种静电卡盘,其特征在于:包括底座和设置在所述底座上的陶瓷板,所述陶瓷板包括圆盘式的上盘体和圆盘式的下盘体,所述上盘体和所述下盘体间设有电极层,所述上盘体的底部设有与所述下盘体的外侧壁配合的凹槽,所述电极层设置在所述凹槽中,所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁平行。2.根据权利要求1所述的一种静电卡盘,其特征在于:所述上盘体和所述下盘体均为陶瓷烧制而成,所述上盘体和所述下盘体通过烧结连接在一起。3.根据权利要求2所述的一种静电卡盘,其特征在于:所述上盘体的下侧壁与所述下盘体的下侧壁平齐。4.根据权利要求3所述的一种静电卡盘,其特征在于:所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁间的平行度为0.01‑0.05mm。5.根据权利要求1~4中任意一项所述的静电卡盘制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一:分别烧制陶瓷材料的所述上盘体和所述下盘体,所述上盘体烧结完成后具有所述凹槽;步骤二:打磨平整所述上盘体的上侧壁,并且打磨所述凹槽的上侧壁,使得所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁平行,并且打磨到所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁的平行度为0.01‑0.05mm;步骤三:打磨所述下盘体的侧壁、上侧壁及下侧壁,使得所述下盘体的上侧壁与所述下盘体的下侧壁平行,打磨所述下盘体的侧壁使得所述下盘体更好的嵌入到所述凹槽中;步骤四:在所述凹槽的上侧壁上印刷所述电极层,所述电极层印刷完毕后放入烤箱中烤干;步骤五:将所述下盘体嵌入到所述凹槽中,将嵌有所述下盘体的所述上盘体放入到烧结炉中烧结成所述陶瓷板。6.根据权利要求5所述的静电卡盘制备方法,其特征在于:在所述步骤一中,将所述上盘体和所述下盘体放入到烧结炉中加热到1200摄氏度进行烧结。7.根据权利要求5所述的静电卡盘制备方法,其特征在于:在所述步骤四中,所述电极层印刷完毕后放入烤箱中加热到100~110摄氏度,持续8~12分钟后取出。8.根据权利要求5所述的静电卡盘制备方法,其特征在于:在所述步骤五中,将嵌有所述下盘体的所述上盘体放入到烧结炉中加热到1500摄氏度烧结成所述陶瓷板。2CN115621186A说明书1/4页一种静电卡盘及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及静电卡盘技术领域,特别涉及一种静电卡盘及其制备方法。背景技术[0002]半导体元件或显示元件是通过化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、离子注入工艺、蚀刻工艺,将含有电介质层和金属层的多个薄膜层层叠在玻璃基板、柔性基板或者半导体晶片等上并进行图案化而制造。用于执行这种半导体工艺的腔室装置中具有静电卡盘,其支撑诸如玻璃基板、柔性基板和半导体晶片,利用静电力固定基板。[0003]在对静电卡盘陶瓷板进行制造时,若是电极层与陶瓷板工作表面不平行时,可能会造成陶瓷板工作表面吸附力不一致的情况。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种静电卡盘及其制备方法,能够保证静电卡盘的吸附表面与电极层的平行度,避免静电卡盘的表面吸附力不一致。[0005]为了解决上述技术问题,本发明的技术方案为:[0006]本发明一方面公开一种静电卡盘,包括底座和设置在所述底座上的陶瓷板,所述陶瓷板包括圆盘式的上盘体和圆盘式的下盘体,所述上盘体和所述下盘体间设有电极层,所述上盘体的底部设有与所述下盘体的外侧壁配合的凹槽,所述电极层设置在所述凹槽中,所述上盘体的上侧壁与所述凹槽的上侧壁平行。[0