一种多晶硅还原炉生长系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115626646A(43)申请公布日2023.01.20(21)申请号202211249262.2(22)申请日2022.10.12(71)申请人亚洲硅业（青海）股份有限公司地址810007青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号申请人青海亚洲硅业硅材料有限公司(72)发明人杨明财任长春王生红(74)专利代理机构北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11394专利代理师孔鹏(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种多晶硅还原炉生长系统(57)摘要本申请公开了一种多晶硅还原炉生长系统，属于多晶硅生产技术领域，其包括炉体、上电极和下电极。上电极和下电极均安装于炉体内，且上电极位于炉体的顶部，下电极位于炉体的底部，上电极与下电极相对设置，且上电极和下电极均与炉体转动连接。硅芯安装于上电极与下电极之间，利用上电极和下电极能够带动硅芯转动。本发明公开的多晶硅还原炉生长系统通过设计旋转的上电极和下电极使硅棒在生长时进行旋转，解决了因炉内温场、流场分布不均匀而导致的硅棒出现阴阳面、凹坑以及在横梁处容易生长菜花料的问题，从而保证了硅棒的外观品质。CN115626646ACN115626646A权利要求书1/2页1.一种多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，包括：炉体(110)，所述炉体(110)包括还原腔；上电极(150)，所述上电极(150)与所述炉体(110)转动连接，且所述上电极(150)位于所述还原腔的顶部；以及下电极(160)，所述下电极(160)与所述炉体(110)转动连接，所述下电极(160)位于所述还原腔的底部，且所述下电极(160)与所述上电极(150)对应设置。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，所述炉体(110)包括：底盘(111)，所述下电极(160)安装于所述底盘(111)，且所述底盘(111)上设置有限位器(113)；以及钟罩(112)，所述上电极(150)安装于所述钟罩(112)，所述钟罩(112)与所述底盘(111)连接形成所述还原腔，所述钟罩(112)通过所述限位器(113)与所述底盘(111)连接。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，包括多个所述上电极(150)和多个所述下电极(160)，多个所述上电极(150)在所述钟罩(112)上均匀分布，多个所述下电极(160)在所述底盘(111)上均匀分布，且多个所述上电极(150)与多个所述下电极(160)一一对应设置。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，还包括硅芯抓取结构(120)，所述硅芯抓取结构(120)包括硅芯抓取盘(121)和多个硅芯罩设管(122)，多个所述硅芯罩设管(122)均与所述硅芯抓取盘(121)连接，且多个所述硅芯罩设管(122)与多个所述下电极(160)一一对应设置。5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，所述硅芯抓取结构(120)还包括多个硅芯夹紧器(123)，每个所述硅芯罩设管(122)内至少设置两个所述硅芯夹紧器(123)，且每个所述硅芯罩设管(122)内的所述硅芯夹紧器(123)沿所述硅芯罩设管(122)的长度方向间隔设置。6.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，还包括备用电极盘(130)，所述备用电极盘(130)上设置有用于安装硅芯(170)的安装位(131)，所述硅芯抓取结构(120)能够将所述安装位(131)内的硅芯(170)抓取至所述下电极(160)上。7.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，还包括硅棒抓取结构(140)，所述硅棒抓取结构(140)包括硅棒抓取盘(141)和多个硅棒罩设管(143)，多个所述硅棒罩设管(143)均与所述硅棒抓取盘(141)连接，且多个所述硅棒罩设管(143)与多个所述下电极(160)一一对应设置，所述硅棒抓取盘(141)上设置有吸尘通道(142)，所述硅棒罩设管(143)的侧壁上设置有连接通道(144)和吸尘孔(145)，所述吸尘孔(145)贯穿所述硅棒罩设管(143)的内侧壁，且所述吸尘孔(145)通过所述连接通道(144)与所述吸尘通道(142)连通。8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，所述硅棒罩设管(143)为夹层结构，以形成所述连接通道(144)，每个所述硅棒罩设管(143)上均设置有多个所述吸尘孔(145)，多个所述吸尘孔(145)均与所述连接通道(144)连通，且多个所述吸尘孔(145)沿所述硅棒罩设管(143)的内均匀设置。9.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉生长系统，其特征在于，所述硅棒罩设管(143)的长度