一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115725915A(43)申请公布日2023.03.03(21)申请号202211531272.5C21D11/00(2006.01)(22)申请日2022.12.01H01G9/055(2006.01)(71)申请人乳源县立东电子科技有限公司地址512721广东省韶关市乳源县乳城镇东阳光工业园化成箔二期低压厂房申请人广东省寓创电子有限公司(72)发明人刘俊英冉亮杨海亮李洪伟(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102专利代理师苏晶晶(51)Int.Cl.C22F1/04(2006.01)C22F1/02(2006.01)C30B29/02(2006.01)C30B29/64(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法(57)摘要本发明公开了一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法，涉及电解电容器技术领域。本发明的光箔晶粒控制方法，包括如下步骤：S1.将光箔样品至于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，快速升温至250℃，抽高真空至≤2Pa，保温2h，S2.保持真空度，快速升温到420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.缓慢降温至250℃，充入空气保持正常大气压，然后快速降温到50～120℃出炉。本发明光箔晶粒控制方法通过退火过程真空度和升温速率的控制实现了晶粒大小及均匀度的控制，进而兼顾提升了腐蚀箔的比容和强度。CN115725915ACN115725915A权利要求书1/1页1.一种光箔晶粒控制方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将铝光箔样品置于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，升温至250℃，升温速率为2～8℃/min，抽高真空至≤2Pa，保温2～4h，S2.保持真空度，以升温速率1～2℃/min升温至420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.真空状态降温至250℃，通入空气至常压，然后以降温速率1～4℃/min再次降温至50～120℃出炉。2.如权利要求1所述光箔晶粒控制方法，其特征在于，S1中抽高真空至0.5～1Pa。3.如权利要求1所述光箔晶粒控制方法，其特征在于，S1中抽高真空至1Pa。4.如权利要求1所述光箔晶粒控制方法，其特征在于，S1中升温速率为3～5℃/min。5.如权利要求1所述光箔晶粒控制方法，其特征在于，S1中升温速率为4℃/min。6.如权利要求1所述光箔晶粒控制方法，其特征在于，S2中所述惰性气体为5～10L/min。7.一种电解电容器用阳极箔的制备方法，包括高纯铝锭粗轧‑精轧‑退火‑腐蚀‑化成，其特征在于，其中退火处理采用上述权利要求1～6任意一项所述的光箔晶粒控制方法处理。8.一种权利要求7所述制备方法制备得到的电解电容器用阳极箔。9.一种权利要求8所述电解电容器用阳极箔在制备铝电解电容器中的应用。10.一种铝电解电容器，其特征在于，所述铝电解电容器的阳极箔为权利要求8所述电解电容器用阳极箔。2CN115725915A说明书1/7页一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法技术领域[0001]本发明涉及电解电容器技术领域，更具体地，涉及一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法。背景技术[0002]铝电解电容器是广泛应用于电子电器行业的一种储能元件，而铝电解电容器用阳极箔是其重要的原材料，阳极箔的结构特性决定着铝电解电容器的电性能。在同样的腐蚀工艺下，不同的铝光箔生产出的产品也各不相同，反应出铝光箔生产的工艺水平及技术特点，针对不同的产品要求，有通过添加微量元素来提高腐蚀比容的光箔工艺，有通过控制光箔铝的纯度来达到控制腐蚀速度的，有通过晶型结构来控制起始发孔密度的，但这些工艺对原始铝锭的要求过高，实现的门槛也高，对生产企业的技术及生产控制水平要求较多，且产品质量稳定性不好控制。比如添加及控制微量元素的工艺，主要元素铁硅铜需要控制到几十个ppm级，对铝锭的纯化技术要求较高；控制光箔铝纯度除了对原材料要求高以外，对生产加工过程的控制也严格，防止其它杂质浸入及残留，并且要加强其惰性气体除氢的工艺，以消除残留在铝内的氢元素，防止后面腐蚀过程中发生氢脆或者氢气聚集后铝层内发生气泡，影响铝芯强度。而且，目前这些方式主要还是在对腐蚀后的比容提升为主，并没有兼顾比容及强度。[0003]目前通常的光箔退火方案分为惰性气休保护退火及真空退火两种方案。惰性气体保护退火特点是速度快，成本低，铝箔卷内外层温度均匀，缺点是由于铝卷层间压力大，无法排出水油汽，除氢效果差，甚至水汽有一部分变成氢气无法排出时，有氢渗入铝箔，使