一种锗单晶制备用单晶炉及工艺.pdf
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一种锗单晶制备用单晶炉及工艺.pdf
本发明涉及单晶炉技术领域,尤其涉及一种锗单晶制备用单晶炉及工艺。提供一种使得副炉体能够自动进行转动,便于将锗单晶取出的锗单晶制备用单晶炉及工艺。一种锗单晶制备用单晶炉及工艺,包括有:底座和支撑座,底座前部上侧连接有支撑座;主炉体,支撑座上部连接有主炉体;副炉体,主炉体上部滑动式连接有副炉体;连接座,主炉体上前部连接有连接座;气缸,连接座前部连接有气缸;进料阀门,气缸伸缩杆上连接有进料阀门,进料阀门与连接座和主炉体滑动式连接。
2021102020673锗单晶及锗单晶的热处理工艺.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113073386A(43)申请公布日2021.07.06(21)申请号202110202067.3C22F1/16(2006.01)(22)申请日2021.02.23(71)申请人有研光电新材料有限责任公司地址065001河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号(72)发明人王博冯德伸易见伟王宇李燕马远飞于洪国林泉雷同光(74)专利代理机构北京辰权知识产权代理有限公司11619代理人佟林松(51)Int.Cl.C30B29/08(20
锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法.pdf
本发明涉及一种新材料制备技术领域,具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法,该装置垂直固定在底座上,其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体,炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极,沿炉体内侧设置环形的保温材料;沿炉体中轴底部设置支撑系统,支撑系统上架设石英异型管,石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽,石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点,结构精妙,温区设计合理。
一种单晶炉及用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺.pdf
本发明提供一种单晶炉,包括炉盖和主炉室,还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置,所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方;所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置。本发明还提出一种用该单晶炉进行直拉单晶稳温工艺。本发明通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度,实现熔硅液面温度监控自动调整,以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定,为后续成功引晶奠定基础,监控区域设置合理,监控温度精准且易于控制,实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯
一种用于单晶炉的单晶提升机构及单晶炉.pdf
本发明涉及一种用于单晶炉的单晶提升机构,包括晶转组件、晶升组件和定滑轮组件,晶转组件的顶部与晶升组件相连,且定滑轮组件设置于晶升组件上。晶升组件包括连接底盘、箱体、卷丝结构和压线结构。卷丝结构能够缠绕多圈卷丝绳,且能够通过旋转对卷丝绳进行收放。压线结构设置于卷丝结构的一侧,当卷丝绳出现跳线的情况时,压线结构能够朝向卷丝结构的一侧压紧卷丝绳,以使卷丝绳与卷丝结构重新相抵。定滑轮组件设置于晶升组件上,定滑轮组件用于将卷丝绳旋转转变为上下升降。通过在卷丝结构的一侧设置压线结构,在卷丝绳出现跳绳的现象时,当卷丝绳