石墨烯导热膜及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115838167A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211742279.1(22)申请日2022.12.29(71)申请人常州富烯科技股份有限公司地址213000江苏省常州市武进区锦程路36号(72)发明人周文光周仁杰(74)专利代理机构北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙)11686专利代理师净晓梅(51)Int.Cl.C01B32/184(2017.01)H05K7/20(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称石墨烯导热膜及其制备方法(57)摘要本发明提供一种石墨烯导热膜及其制备方法，包括：将氧化石墨烯和催化剂溶剂混合，搅拌匀质后得到氧化石墨烯浆料；将所述氧化石墨烯浆料涂布于基材上并送入烘箱中，得到干燥的氧化石墨烯膜；将干燥的所述氧化石墨烯膜依次送入低温炉、中温炉和高温炉中，通入保护气体并进行至少两次石墨化处理，自然冷却后得到石墨烯导热膜。在制备氧化石墨烯阶段加入催化剂，使催化剂与氧化石墨烯的结合更加有效更加深入，且该种方式的添加操作上更为简单。在浆料中加入催化剂有利于对石墨烯片层的组装，能够提高后期还原为石墨烯导热膜的导热性能，使其能够为电子产品提供良好的散热效果。CN115838167ACN115838167A权利要求书1/1页1.一种石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，包括：将氧化石墨烯和催化剂溶剂混合，搅拌匀质后得到氧化石墨烯浆料；将所述氧化石墨烯浆料涂布于基材上并送入烘箱中，得到干燥的氧化石墨烯膜；将干燥的所述氧化石墨烯膜依次送入低温炉、中温炉和高温炉中，通入保护气体并进行至少两次石墨化处理，自然冷却后得到石墨烯导热膜。2.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述催化剂为氯化铈或硼酸。3.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯和所述催化剂溶液中的催化剂的比例为100：(1‑5)。4.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述烘箱的温度为35℃‑60℃。5.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述低温炉的温度为300℃，所述中温炉的温度为1000℃，所述高温炉的温度为3100℃。6.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述低温炉、所述中温炉和所述高温炉的升温速度为3℃/min。7.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氮气或氩气。8.根据权利要求1所述的石墨烯导热膜的制备方法，其特征在于，所述基材为PET基材。9.一种石墨烯导热膜，通过权利要求1‑8任一项所述的石墨烯导热膜的制备方法获得。2CN115838167A说明书1/4页石墨烯导热膜及其制备方法技术领域[0001]本发明属于石墨烯技术领域，具体涉及一种石墨烯导热膜及其制备方法。背景技术[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。[0003]2010年，英国曼彻斯特大学的两位教授AndreGeim和KonstantinNovoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖，掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯(Graphene)是一种单分子层二维晶体，具有已知材料最高的强度以及优异的导电性和导热性，是目前最理想的二维纳米材料。[0004]宏观组装氧化石墨烯或者石墨烯纳米片的石墨烯膜是纳米级石墨烯的主要应用形式，常用的制备方法是抽滤法、刮膜法、旋涂法、喷涂法和浸涂法等，通过上述方法制备的石墨烯导热膜的制备的性能低，不能满足智能手机、智能随身硬件、平板电脑、笔记本电脑等高散热的需求。发明内容[0005]鉴于上述问题，本发明的第一方面提出了一种石墨烯导热膜的制备方法，包括：[0006]将氧化石墨烯和催化剂溶剂混合，搅拌匀质后得到氧化石墨烯浆料；[0007]将所述氧化石墨烯浆料涂布于基材上并送入烘箱中，得到干燥的氧化石墨烯膜；[0008]将干燥的所述氧化石墨烯膜依次送入低温炉、中温炉和高温炉中，通入保护气体并进行至少两次石墨化处理，自然冷却后得到石墨烯导热膜。[0009]在制备氧化石墨烯阶段加入催化剂，使催化剂与氧化石墨烯的结合更加有效更加深入，且该种方式的添加操作上更为简单。在浆料中加入催化剂有利于对石墨烯片层的组装，能够提高后期还原为石墨烯导热膜的导热性能，使其能够为电子产品提供良好的散热效果，满足高散热的需求。[0010]对送入加热炉中的干燥的氧化石墨烯膜进行至少两次石墨化，能够有效弥补化学剥离法制备的石墨烯导热膜带来的缺陷，使制备得到的石墨烯导热膜具有良好的强度和韧性，同时具有优异的热导性。[0011]在本发明的一些实施例中，所述催化剂为氯化铈或硼酸。[0012