一种加热炉温度控制系统、控制方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115951740A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211585068.1(22)申请日2022.12.09(71)申请人江苏科瑞恩科技股份有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市玉山镇瑞科路198号(72)发明人陈兴隆彭建涛刘亚如(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师李礼(51)Int.Cl.G05D23/30(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称一种加热炉温度控制系统、控制方法(57)摘要本发明公开了一种加热炉温度控制系统、控制方法，其中，该系统包括：电源电路、温度采集电路、MOS驱动电路和真空泵控制电路，所述电源电路、温度采集电路、MOS驱动电路和真空泵控制电路皆连接于MCU主控电路；所述温度采集电路与所述MCU主控电路连接，所述温度采集电路用于对真空加热炉内的多路热电阻的温度信息进行采集，并将多路热电阻的温度信息依次传输至所述MCU主控电路；所述MCU主控电路与所述MOS驱动电路、真空泵控制电路连接，所述MCU主控电路用于对所述温度信息进行处理得到加热PWM信号，所述MOS驱动电路根据加热PWM信号控制加热炉内的加热台通断，实现了对加热炉内温度的实时、精准控制，有效降低了加热炉的能耗。CN115951740ACN115951740A权利要求书1/2页1.一种加热炉温度控制系统，其特征在于，包括：电源电路(110)、温度采集电路(120)、MOS驱动电路(140)和真空泵控制电路(150)；所述电源电路(110)、温度采集电路(120)、MOS驱动电路(140)和真空泵控制电路(150)皆连接于MCU主控电路(130)；所述电源电路(110)用于为加热炉温度控制系统提供电能；所述温度采集电路(120)与所述MCU主控电路(130)连接，所述温度采集电路(120)用于对加热炉内的多路热电阻的温度信息进行采集，并将多路热电阻的温度信息依次传输至所述MCU主控电路(130)；所述MCU主控电路(130)与所述MOS驱动电路(140)、所述真空泵控制电路(150)连接，所述MCU主控电路(130)用于对所述温度信息进行处理得到加热PWM信号，所述MOS驱动电路(140)根据加热PWM信号控制加热炉内的加热台通断；所述MCU主控电路(130)用于对加热炉内的真空度信息进行处理，所述真空泵控制电路(150)通过对比加热炉内的真空度和真空度预设阈值控制加热炉内真空泵的工作；其中，所述MOS驱动电路(140)的输入端与所述MCU主控电路(130)的加热控制输出端连接，所述MOS驱动电路(140)的输出端与所述加热台连接，所述MOS驱动电路(140)用于根据加热PWM信号控制加热炉内的加热台通断。2.根据权利要求1所述的加热炉温度控制系统，其特征在于，所述MOS驱动电路包括电平转换电路(210)，所述电平转换电路包括三极管Q6、三极管Q5、电阻R84、电阻R86、电阻R74和电阻R75；所述三极管Q6的基极通过所述电阻R84与所述MCU主控电路的加热控制输出端连接，用于接收所述MCU主控电路输出的加热PWM信号；所述电阻R86连接于所述三极管Q6的基极与发射极之间，所述三极管Q6的发射极接地，所述三极管Q6的集电极连接所述三极管Q5的基极；所述三极管Q5的基极通过所述电阻R74连接第一电源，所述电阻R75的一端连接第一电源，另一端连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极接地；所述MOS驱动电路包括推挽电路(220)，所述推挽电路(220)包括三极管Q3、三极管Q8、电阻R88；所述三极管Q3的基极连接所述三极管Q5的集电极，所述三极管Q3的发射极与所述三极管Q8的发射极连接，所述三极管Q3的集电极连接第一电源；所述三极管Q3的基极和三极管Q8的基极连接并与电阻R88的一端连接，电阻R88的另一端与所述三极管Q8的集电极连接后接地。所述MOS驱动电路包括第一开关电路(230)，所述第一开关电路(230)包括MOS管Q4、接插件J7，所述MOS管Q4的栅极连接所述三极管Q3的发射极，所述MOS管Q4的源极接地，所述MOS管Q4的漏极连接所述接插件J7，所述接插件J7用于连接加热台的电源开关。3.根据权利要求2所述的加热炉温度控制系统，其特征在于，还包括急停电路；所述急停电路包括急停开关SW1、三极管Q7、电阻R85、电阻R87、电阻R64；所述三极管Q7的基极通过电阻R85与所述急停开关的一端连接，所述急停开关的另一端连接第三电源，所述电阻R87连接于所述三极管Q7的基极与发射极之间，所述三极管Q7的集电极与所述三极管Q3的基极连接；所述电阻R64的一端连接在所述急停开关与所述电阻R85之间，