热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115976632A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211603817.9(22)申请日2022.12.13(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710000陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司(72)发明人纪天平张鹏举(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师丁文蕴(51)Int.Cl.C30B15/14(2006.01)C30B15/20(2006.01)F27B14/20(2006.01)F27B14/14(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法(57)摘要本公开提供一种热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法，热场组件包括：底加热器，底加热器包括相背设置的顶面和底面，底加热器上设有贯穿顶面和底面的第一螺栓孔；呈托盘状的底部盖板，底部盖板包括相背的顶盘面和底盘面，底加热器设置于顶盘面且底面直接接触顶盘面，底部盖板采用绝缘且耐高温材料制成，底部盖板上设有与第一螺栓孔对应的第二螺栓孔；及底电极，底电极位于底盘面背离顶盘面的一侧，且底电极通过穿设于第一螺栓孔和第二螺栓孔内的紧固螺栓直接连接至底加热器上。本公开提供的热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法，能够及时发现漏液。CN115976632ACN115976632A权利要求书1/2页1.一种热场组件，其特征在于，包括：底加热器，所述底加热器包括相背设置的顶面和底面，所述底加热器上设有贯穿所述顶面和所述底面的第一螺栓孔；呈托盘状的底部盖板，所述底部盖板包括相背的顶盘面和底盘面，所述底加热器设置于所述顶盘面且所述底面直接接触所述顶盘面，所述底部盖板采用绝缘且耐高温材料制成，所述底部盖板上设有与所述第一螺栓孔对应的第二螺栓孔；及底电极，所述底电极位于所述底盘面背离所述顶盘面的一侧，且所述底电极通过穿设于所述第一螺栓孔和所述第二螺栓孔内的紧固螺栓直接连接至所述底加热器上。2.根据权利要求1所述的热场组件，其特征在于，所述底部盖板的材质为耐高温陶瓷材料。3.根据权利要求1所述的热场组件，其特征在于，所述底部盖板中心还设有贯穿所述顶盘面与所述底盘面的通孔。4.根据权利要求3所述的热场组件，其特征在于，所述底加热器围绕在所述通孔的外围。5.一种漏液检测装置，其特征在于，包括：如权利要求1至4任一项所述的热场组件，所述底加热器、所述底部盖板和所述底电极分别位于单晶炉内坩埚下方；电学检测器，与所述底加热器连接，用于实时检测所述底加热器的电学参数；处理器，与所述电学检测器连接，用于根据来自所述电学检测器实时反馈的所述电学参数，实时判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液；报警器，与所述处理器连接，用于当实时判断结果为所述底加热器上存在漏液时进行报警。6.根据权利要求5所述的漏液检测装置，其特征在于，所述电学参数包括所述底加热器的电阻值；所述处理器用于接收所述电学检测器所反馈的所述底部加热器的实时电阻值，并根据预定时间内所反馈的所述实时电阻值的数值变化，判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液。7.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括：炉体；设置于所述炉体内的坩埚；及设置于所述炉体内的如权利要求5或6所述的漏液检测装置。8.一种漏液检测方法，其特征在于，应用于如权利要求5或6任一项所述的漏液检测装置，所述方法包括如下步骤：通过所述电学检测器实时检测所述底加热器的电学参数；通过所述处理器接收来自所述电学检测器实时反馈的所述电学参数，并实时判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电学参数包括所述底加热器的电阻值时，所述通过所述处理器接收来自所述电学检测器实时反馈的所述电学参数，并实时判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液，具体包括：2CN115976632A权利要求书2/2页通过所述处理器接收所述电学检测器所反馈的所述底部加热器的实时电阻值，并根据预定时间内所反馈的所述实时电阻值的数值变化，判断所述底加热器上是否存在从所述坩埚泄露的漏液。3CN115976632A说明书1/5页热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法技术领域[0001]本发明涉及拉晶技术领域，尤其涉及一种热场组件、单晶炉、漏液检测装置及其方法。背景技术[0002]在现有技术中，用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片，主要通过将直拉(Czochralski，CZ)法拉制的单晶硅棒切片而制造出。直拉法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在相界面