热熔间隙测量装置、长晶装置及热熔间隙测量方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106065492A(43)申请公布日2016.11.02(21)申请号201610081377.3(22)申请日2016.02.05(30)优先权数据1041130212015.04.23TW(71)申请人环球晶圆股份有限公司地址中国台湾新竹市科学工业园区东二路8号(72)发明人陈俊宏蓝文杰中西正美李奇泽施英汝徐文庆(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人翟羽(51)Int.Cl.C30B15/26(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图9页(54)发明名称热熔间隙测量装置、长晶装置及热熔间隙测量方法(57)摘要本发明提供一种热熔间隙测量装置，用以测量热帷幕的底侧与坩埚中熔汤液面之间的间隙。热熔间隙测量装置包括第一导光棒，第一导光棒具有相对的第一顶部与第一底部。第一顶部曝露于热帷幕的内壁，而所述第一底部突出于所述热帷幕的底侧。影像撷取组件配置于热帷幕上方，用以撷取第一顶部的影像。此外，一种长晶装置以及热熔间隙测量的方法也被提及。CN106065492ACN106065492A权利要求书1/2页1.一种热熔间隙测量装置，用以测量一热帷幕的底侧与一坩埚中一熔汤的液面之间的间隙，其特征在于，所述热熔间隙测量装置包括：一第一导光棒，安装于所述热帷幕的底侧，且具有相对的一第一顶部与一第一底部，其中所述第一顶部暴露于所述热帷幕的内壁，而所述第一底部突出于所述热帷幕的底侧；以及一影像撷取组件，配置于所述热帷幕上方，用以撷取所述第一顶部的影像。2.如权利要求1所述的热熔间隙测量装置，其特征在于，所述第一顶部为球求1所述的热熔间隙测量装置，其特征在于，所述第一导光棒的材料包括石英、石墨或硅。3.如权利要求1所述的热熔间隙测量装置，其特征在于，进一步包括一第二导光棒，安装于所述热帷幕的底侧，且具有相对的一第二顶部以及一第二底部，所述第二顶部暴露于所述热帷幕的内壁，而所述第二底部突出于所述热帷幕的底侧，所述第二导光棒突出于所述热帷幕的底侧的部分的高度低于所述第一导光棒突出于所述热帷幕的底侧的部分的高度。4.一种长晶装置，其特征在于，包括：一腔体；一拉晶棒，设置于所述腔体中，用以上拉一晶种；一坩埚，配置于所述腔体中，用以容置一熔汤；一加热组件，配置于所述腔体中且位于所述坩埚的外围，用以加热所述熔汤；一热帷幕，配置于所述腔体中且位于所述坩埚上方；一第一导光棒，安装于所述热帷幕的底侧，具有相对的一第一顶部及一第一底部，所述第一顶部暴露于所述热帷幕的内壁，而所述第一底部突出于所述热帷幕的底侧；以及一影像撷取组件，配置于所述腔体外且位于所述热帷幕上方，用以撷取所述第一顶部的影像。5.如权利要求5所述的长晶装置，其特征在于，所述第一导光棒的材料包括石英、石墨或硅。6.如权利要求5所述的长晶装置，其特征在于，所述第一顶部为球状、棒状或板状。7.如权利要求5所述的长晶装置，其特征在于，进一步包括一保温组件，配置于所述腔体中，所述加热组件位于所述保温组件与所述坩埚之间。8.一种热熔间隙测量方法，用以测量一热帷幕与一坩埚中一熔汤的液面之间的间隙，其特征在于，所述热熔间隙测量方法包括：在使所述坩埚与所述热帷幕之间的间隙减少的过程中，利用一影像撷取组件撷取安装于所述热帷幕的底侧的一第一导光棒的影像，并分析所撷取的影像以判断所述第一导光棒是否接触所述熔汤的液面；以及在分析所撷取的影像而判断所述第一导光棒接触所述熔汤的液面时，停止减少所述坩埚与所述热帷幕之间的间隙。9.如权利要求9所述的热熔间隙测量方法，其特征在于，进一步包括利用所述影像撷取组件撷取安装于所述热帷幕的底侧的一第二导光棒的影像，所述第二导光棒突出于所述热帷幕的底侧的部分的高度低于所述第一导光棒突出于所述热帷幕的底侧的部分的高度；以及控制所述坩埚与所述热帷幕之间的间隙，以在分析所撷取的影像时得到所述第一导光2CN106065492A权利要求书2/2页棒未接触所述熔汤的液面而所述第二导光棒接触所述熔汤的液面的判断结果。10.如权利要求9所述的热熔间隙测量方法，其特征在于，分析所撷取的影像而判断所述第一导光棒接触所述熔汤的液面时，是判断所述第一导光棒的颜色或亮度的变化量是否超过一临界值。3CN106065492A说明书1/7页热熔间隙测量装置、长晶装置及热熔间隙测量方法技术领域[0001]本发明是有关于一种半导体长晶测量装置与方法，且特别是有关于一种测量热帷幕与熔汤液面之间间隙的装置与方法。背景技术[0002]近年来，半导体产业蓬勃发展，其中硅晶圆为半导体产业最基本的必需品。硅晶圆成长的方式包括浮熔带长晶法(FloatingZoneMethod)、雷射加热提拉长晶法(