一种用于细间距IC封装的键合铜丝及其制造方法.pdf

本发明提供一种用于细间距IC封装的键合铜丝，该键合铜丝由纯度为4N以上且主体氧含量≤5ppm（重量）的铜制成，该键合铜丝的晶体大小呈正态分布，晶体平均粒径为1.6－1.8微米。优选键合铜丝内的孪晶密度小于35%。本发明还提供上述用于细间距IC封装的键合铜丝的制造方法。本发明的键合铜丝硬度极低，并且球焊时得到的变形球的真圆度高，可靠性高，适合于芯片细间距封装的需要。

2023-06-15

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一种镀银键合铜丝的制造方法.pdf

本发明公开了一种镀银键合铜丝的制造方法，涉及半导体集成电路芯片封装领域，针对镀银键合铜丝在传统的制作过程中，铜丝容易氧化，影响导电性能的问题，现提出如下方案，包括以下步骤：步骤一、原料处理：借助砂纸手动去除铜丝外部的氧化薄膜，然后冷水冲洗，烘干；步骤二、将步骤一中的铜丝拔至成0.8‑1.5mm的铜丝，将所述铜丝放置退火炉中，退火30‑40min，然后取出，放置到充满保护气体的冷却箱中冷却。本发明将镀银保护层分两次完成，并在期间穿插镀锌，不仅可以减少镀银保护层与铜丝之间以及镀银保护层内部气泡，减少铜丝与空气

2023-06-16

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一种LED封装用超细键合铜合金丝及其制造方法.pdf

本发明提供一种LED封装用超细键合铜合金丝，总氧含量为150～370ppm，磷含量为0～60ppm，余量为高纯铜；其中当该磷含量为0ppm时，该总氧含量为200～370ppm；当该磷含量大于0ppm时，该总氧含量为150～250ppm。本发明相应的制造方法，包括：将含氧量高的高纯铜与含氧量低的高纯铜按预定的比例进行熔炼，获取总氧含量为200～370ppm的线材；或再加入磷，获取总氧含量为150～250ppm，磷含量为60ppm以下的线材；将该线材行多道次拉拔，得到直径为15～50um的键合丝并进行退火处理

2023-06-15

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一种IC封装用超软键合丝及其制造方法.pdf

本发明提供一种IC封装用超软键合铜合金丝及其制造方法，线材中的氧含量为0～5ppm，钨含量为0.1～2ppm，硫含量为1～10ppm，磷含量为4～200ppm，余量为高纯铜。本发明提供的IC封装用超软键合丝及其制造方法，通过直接调整线材中的氧含量和通过引入磷，借助其去氧能力；通过引入钨、硫并进一步利用forminggas中氢的还原性，降低FAB中的氧含量，降低了FAB的硬度。此外，在上述添加物的基础上，添加了8～200ppm的银，提升了线材的超声软化效能和与IC铝材料的结合能力，拓宽了打线工作窗口，由于

2023-06-15

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一种LED封装用银合金键合丝及其制造方法.pdf

一种LED封装用银合金键合丝，其特征在于按重量计含有2－3.5%的第一添加成分，10－30ppm的第二添加成分，余量为银；第一添加成分为钯，第二添加成分为金、铂、钙、镁和铁中的一种或其中多种的组合。本发明还提供上述LED封装用银合金键合丝的制造方法，包括下述步骤：（1）熔铸获得线材；（2）拉丝：对线材进行拉丝，获得直径为18－50um的银合金键合丝；在拉丝过程中，在拉丝至直径为0.9100－0.0384mm时进行对线材进行中间退火；（3）最后退火：拉丝完成后，对银合金键合丝进行最后退火，冷却后得到LED封

2023-06-15

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