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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105744816A(43)申请公布日2016.07.06(21)申请号201510966547.1(22)申请日2015.12.21(30)优先权数据1031459672014.12.27TW(71)申请人中原大学地址中国台湾桃园市中坜区中北路200号申请人骏沛应用炭素科技股份有限公司(72)发明人刘伟仁范晏宁沈骏(74)专利代理机构北京汇信合知识产权代理有限公司11335代理人翟国明(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称电磁波屏蔽复合膜(57)摘要本发明公开了电磁波屏蔽复合膜,其结构特征在于多层吸波结构,其至少包括:一反射层、一吸波层及一入射层,其中通过吸波层的电阻值高于反射层的电阻值,可引导电磁波来回游离于吸波层与反射层之间,促使空间入射的电磁波能量衰减,并减少或消除反射的电磁波。据此,本发明的电磁波屏蔽复合膜具有多层吸波结构,可阻止电磁波对邻近线路及元件的干扰,此外,多层吸波结构的厚度具薄型化特色,可满足软性电路板的质量轻、材料薄、柔韧性好的要求。CN105744816ACN105744816A权利要求书1/1页1.一种电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,包含:一入射层,其包含一导电填充材料;一吸波层,其设置于所述入射层的一侧上;以及一反射层,其设置于所述吸波层上,以夹置所述吸波层于所述入射层与所述反射层之间,其中所述吸波层的电阻值高于所述反射层的电阻值。2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述吸波层的材料选自由金、银、铜、铁、锡、铅、鈷、铬、铝、镍及其合金所组群组中的至少一个。3.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述吸波层的厚度为0.02微米至0.3微米。4.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述反射层的材料选自由金、银、铜、铁、锡、铅、鈷、铬、铝、镍及其合金所组群组中的至少一个。5.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述反射层的厚度为0.02微米至0.3微米。6.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述导电填充材料为一石墨烯。7.如权利要求6所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述石墨烯为至少一单层石墨烯、至少一多层石墨烯或其混合。8.如权利要求6所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述石墨烯的平均厚度为0.2纳米至300纳米。9.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述导电填充材料的含量为所述入射层总重量的0.5至80重量百分比。10.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述入射层更包含一高分子材料,且所述导电填充材料披覆于所述高分子材料上或混掺于所述高分子材料中。11.如权利要求10所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述高分子材料选自由聚烯亚胺(PI)、聚乙烯(PE)、环氧树脂(Epoxy)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、双马来醯亚胺(BMI)及压克力系高分子所组群组中的至少一个。12.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,其中所述入射层的厚度为5微米至25微米。13.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,还包含:一离型膜,其设置于所述入射层的另一侧上,且所述入射层位于所述离型膜与所述吸波层之间。14.如权利要求1所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,还包含:一绝缘层,其设置于所述反射层上,且所述反射层位于所述绝缘层与所述吸波层之间。15.如权利要求14所述的电磁波屏蔽复合膜,其特征在于,还包含:一转写膜,其设置于所述绝缘层上,且所述绝缘层位于所述转写膜与所述反射层之间。2CN105744816A说明书1/6页电磁波屏蔽复合膜技术领域[0001]本发明涉及一种电磁波屏蔽复合膜,尤其涉及一种具有多层吸波结构的电磁波屏蔽复合膜。背景技术[0002]为响应电子及通讯产品多功能的市场需求,电路基板的IC构装需要更轻、薄、短、小;在功能上,则需要强大且高速讯号传输。因此,I/O脚数的密度势必提高,而伴随着IC脚位数目也得随之增多。IC载板线路之间的距离越来越近,加上工作频率朝向高宽频化,使IC相互之间的电磁干扰(ElectromagneticInterference;EMI)情形越来越严重,因此如何有效电磁相容管理(ElectromagneticCompatibility;EMC),维持电子产品的正常讯号传递及提高可靠度将成为重要议题。[0003]市面上,软板用电磁波屏蔽复合膜依施工方式大致可分为印制型导电浆料(ConductivePaste)与导电贴胶膜(ConductiveAdhesiveFil