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半导体存储器.ppt
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一种半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)电路、故障地址寄存器、清理控制电路和控制逻辑电路。所述存储单元阵列包括多个存储单元行。所述清理控制电路基于对所述存储单元阵列执行的刷新操作产生清理地址。所述控制逻辑电路控制所述ECC电路，使得所述ECC电路对第一存储单元行中的多个子页面执行错误检测操作，以对错误发生数目进行计数，并基于所述错误发生数目判定是否纠正在其中检测到错误的码字。回写未纠正的码字或纠正后的码字，并且基于所述错误发生数目，可以将所述第一存储单元行的行地址作为行故障地址存储在所述故障地
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第二节半导体存储器5.2.1静态MOS存储单元与存储芯片（3）工作地址端：X05.2.2动态MOS存储单元与存储芯片2.单管单元3.存储芯片地址端：5.2.3半导体存储器逻辑设计存储器寻址逻辑64KB3.连接方式某半导体存储器按字节编址。其中0000H～∼07FFH为ROM区选用EPROM芯片（2KB/片）；0800H～13FFH为RAM区选用RAM芯片（2KB/片和1KB/片）。地址总线A15～A0（低）。给出地址分配和片选逻辑。A15A14A13A12A11A10A9…A0
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会计学半导体存储器是由半导体存储单元组成的存储器，读写速度快，但存储容量相对较小，随着半导体存储器技术的快速发展，半导体存储器的容量越来越大，已在逐步取代磁盘存储器的过程之中。⒈存储器的主要技术指标⒉存储器结构具有三态结构。⑵存储器读操作步骤：⒋半导体存储器的分类特点：能随机读出或写入，读写速度快（能跟上微机快速操作）、方便（不需特定条件）。只读存储器ROM分类概况擦除时需专用的UVEPROM擦除器（产生强紫外线）；目前已成为ROM应用主流品种之一（另二种是MaskROM和OTPROM），应用广泛，甚至有
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第7章半导体存储器7.1概述按制造工艺来分：101存储器的读操作：●实训电路图7.2.1掩膜只读存储器ROM的基本结构2.二极管ROM（2）输出信号表达式3.MOS管ROM2.一次性可编程ROM（PROM）出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要进行编程，但只能编程一次。7.2.3可擦除的可编程只读存储器（EPROM）二、E2PROM三、快闪存储器（FlashMemory）32行×32列矩阵▲因此，该RAM存储矩阵共需要5+3根地址线A7~A0即可全部寻址。3）读/写与片选控制片选与
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第七章半导体存储器半导体存储器分类RAM特点：工作中，可随机对存储器的任意单元进行读、写。Q（1）写操作读操作:X=1=13、RAM结构示意图存储器容量：32行×32列矩阵A7~A0=00011111时，选中哪个单元?2）=0时，芯片被选中。R/W=1时，G5输出“1”，G3导通；G4输出“0”，G1、G2高阻态截止，读操作；7.1.2RAM的扩展——位扩展和字扩展2.字扩展3、全扩展：字数加倍，位数也加倍的扩展方式。例：将4K×4的RAM扩展为16K×8的存储系统。8个芯片构成4组，每组2片。数据线D0
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