一种铜片镀膜机.pdf
一吃****春晓
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相关资料
一种铜片镀膜机.pdf
本发明涉及真空镀膜设备技术领域,具体的说是一种铜片镀膜机,包括:真空镀膜机本体,所述真空镀膜机本体的前端固定连接有控制器,所述真空镀膜机本体的内部固定连接有第一电动传送带;通过设置过渡装置,当需要将带有铜片的辅助输送装置放置到真空镀膜机本体的内部时,工作人员可控制密封机构密封过渡箱,然后工作人员再控制高压气泵将过渡箱内部的气压补充正常,工作人员即可将铜片的辅助输送装置放到第二电动传送带的上表面,然后再控制高压气泵将过渡箱的内部抽至近似真空,工作人员再控制密封机构收缩至最低处,使得过渡箱与真空镀膜机本体连通
一种铜片.pdf
本发明公开了一种铜片,包括铜片本体,铜片本体呈环形开口结构,位于铜片本体的开口处设置有第一引脚和第二引脚,第二引脚上开有定位孔,所述第二引脚上设置有导套,所述导套位于定位孔上方。本发明的有益效果是:将铜片绝缘,能提高成品的安全系数,增加的定位孔,便于定位,安装方便,提高了工作效率,减少了人工成本,采用L型引脚,提高了稳定性,增加的导套提高了安全性。
一种铜片氧化方法.pdf
本发明涉及一种铜片氧化方法,将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层,另一面不形成氧化层。其中,氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口,加温区包括十个温区,各区温度设置如下:一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃、五区720℃、六区720℃、七区750℃、八区750℃、九区720℃、十区710℃;氧化炉顶部和底部的进气口处均分别设置有氧气进气管和氮气进气管,氧气的流量设定为38mL/min,氮气的流量设定如下:入口25~35L/min;加温区中一至三区顶部0L/min、四至六区顶部
一种铜片弯折装置.pdf
本发明涉及一种铜片弯折装置,包括底座、支杆、成型机构和踩踏机构,所述底座水平设置在支杆上,所述成型机构设置在底座上,所述踩踏机构设置在底座下方,所述成型机构包括下压组件和移动组件,所述下压组件包括限位单元和下压单元,所述移动组件包括移动块和定位单元,所述踩踏机构包括踏板、拉绳和滑动单元,该铜片弯折装置,通过踩踏机构驱动成型机构运行,实现工件的成型,与现有的成型装置相比,该成型装置通过踩踏即可实现工件的成型,避免电能的驱动,减低了成本,且下压组件和移动组件采用纯机械联动,避免了传感器等电子元件的使用,提高了
一种氧化DCB铜片的方法.pdf
本发明公开了一种氧化DCB铜片的方法,涉及覆铜陶瓷基板加工领域,旨在解决铜片氧化不均匀的问题,其技术方案要点是:一种氧化DCB铜片的方法,包括以下步骤:1)选用隧道炉作为氧化设备,在隧道炉的底部和顶部均匀分布加热电阻丝,取压缩空气作为氧化气源,同时保证隧道炉内的空间与外界空气相通;2)将铜片放置在网带的上,逐步进入到隧道炉内进行氧化;3)在隧道炉内设置有十个依次排列的独立温区,每个温区的温度设置为300℃;4)安置在网带上的铜片依次经过上述温区,带速为6.0inch/min,氧化时间15min。本发明的一