金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法.pdf

本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga(CH3)3∶稀土有机配合物∶A(CH3)3＝(1-x-y)∶x∶y，其中稀土有机配合物是指以稀土元素Re为核心的Re(TMHD)3或Re(i-PrCp)3，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III

2023-06-14

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分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法.pdf

本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga3+的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga∶Re∶A＝(1-x-y)∶x∶y，其中Re表示稀土金属，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺，从

2023-06-14

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金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究.docx

金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究引言氮化镓（GaN）作为一种半导体新材料，具有广泛的应用前景。其中，GaN薄膜的室温热电特性研究，不仅对于研究其电学性质有重要的意义，而且也是未来制备高性能功率电子器件的重要基础。本文采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长技术，制备了GaN薄膜，并探究了其室温热电特性。实验方法制备GaN薄膜的试样采用单晶硅衬底，其反应流程如下：1.用HCl和EtOH混合物去除晶圆表面的氧化物和有机物质。2.在低温下，用NH3进行预氮化处理。3.在高温下，用金属有

2024-11-17

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氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析.docx

氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析随着半导体器件技术的发展，氢化物气相外延已经成为制备高品质、大面积GaN薄膜的主要方法之一。然而，氢化物气相外延膜的应力分析是非常重要的，这是因为应力对薄膜的物理性能和电学性能有着非常大的影响。因此，在GaN薄膜的氢化物气相外延过程中，应力分析变得至关重要。氢化物气相外延法通过在衬底上溅射金属铝源，并通过反应装置中的氨气流来生成GaN薄膜。氮气可以用来控制薄膜的生长速率和料片表面的化学反应速率。在GaN薄膜的生长过程中，晶格匹配度影响了薄膜的应力状态，从而影响薄膜的

2024-10-30

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金属有机化学气相沉积法.doc

金属有机化学气相沉积一、原理：金属有机化学气相沉积（MOCVD）是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族HYPERLINK""\t"_blank"化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organicchemicalvapordeposition.M

2024-06-12

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