分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法.pdf

本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga3+的晶格格位，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入III族元素硼或铝，在生长过程中所述III族元素硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga∶Re∶A＝(1-x-y)∶x∶y，其中Re表示稀土金属，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝和稀土金属按一定配比进行共掺，从

2023-06-14

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分子束外延生长GaN薄膜的新方法.docx

分子束外延生长GaN薄膜的新方法随着半导体行业的发展，氮化镓(GaN)材料在LED、LD、功率电子器件等领域的应用越来越广泛。而氮化镓生长的方法中，分子束外延生长(MBE)作为一种高效、高性能、可控性高的生长方法，也因此备受青睐。但是，传统的MBE生长方式存在着很多问题，如生长速度过慢、包含杂质的成膜率高，提高成品率和降低成本的难度大等等。针对这些问题，研究人员进行了大量的研究，提出了一系列新的方法，以期能够得到更好的GaN薄膜生长效果。一、使用非晶态氮载体非晶态氮载体是近年来出现的一种新的MBE生长方法

2024-11-03

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激光分子束外延生长GaN薄膜的任务书.docx

激光分子束外延生长GaN薄膜的任务书一、选题背景GaN是一种重要的半导体材料，具有良好的光电学和力学性能，因此在红外、紫外、蓝色和绿色LED、LD、太阳能电池等器件中有广泛应用。目前，外延生长GaN薄膜的常见方法有化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延等，但利用化学气相沉积和物理气相沉积方法的GaN晶体质量存在缺陷密度高，缺陷广泛的问题，且制备过程中难以得到长周期的纳米结构。相比较而言，激光分子束外延生长技术具有高温、高能的显著优点。激光分子束外延技术在制备GaN薄膜上具有相对较低的制备温度，易于控制。同

2024-10-11

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金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法.pdf

本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga(CH3)3∶稀土有机配合物∶A(CH3)3＝(1-x-y)∶x∶y，其中稀土有机配合物是指以稀土元素Re为核心的Re(TMHD)3或Re(i-PrCp)3，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III

2023-06-14

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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究.docx

低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究摘要：本文以低温下分子束外延生长GaAs的光致发光为研究主题，通过研究低温生长条件对GaAs薄膜的光致发光特性的影响，对材料的光学性能和电学性能进行了全面的分析。研究结果表明，在低温下生长的GaAs薄膜具有优异的光致发光性能，具有较高的发光效率和较窄的发光峰宽，适用于应用于光电子器件领域。关键词：低温下生长，分子束外延，GaAs，光致发光1.引言近年来，随着光电子器件领域的不断发展，GaAs作为一种优秀的半导体材料，受到了

2024-11-10

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