III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及I.pdf
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III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及I.pdf
本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于,其具备:成膜工序,在生长用基底基板上形成铬层;氮化工序,通过在规定的条件下氮化该铬层,从而形成氮化铬层;晶体层生长工序,在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层,其中,前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为
III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法.pdf
本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括:接触层(25a),设置于发光层(17)上;接触层(25b),设置于接触层(25a)上,与接触层(25a)直接接触;及电极(37),设置于接触层(25b)上,与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成,接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度,接触层(25a)与接触层(25b
III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法.pdf
本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等,再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为,基板表面是刚长成的,所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。
III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法.pdf
提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面(27、29)各自呈现支撑基体(17)的端面(17c)及半导体区域(19)的端面(19c)。激光结构体(13)包括第一及第二面(13a、13b),第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二割断面(27、29)分别从第一面(13a)的边缘延伸至第二面(13b)的边缘。半导体区域(19)包含InGaN层(24)。半导体区域(19)可包含InGaN层(24)。割断面(29)包括设置于InGaN层(24)的端面(24a
第III族氮化物半导体生长基板、第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体自立基.pdf
提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板,其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好结晶性。还提供用于制造上述的第III族氮化物半导体用自立基板,及其有效的制造方法。这些的特征在于,提供有晶体生长基板,其至少表面区域包括含铝的第III族氮化物半导体,以及在所述表面区域上部形成的氮化钪膜。