将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102122528A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102122528A(43)申请公布日2011.07.13(21)申请号201010508771.3(22)申请日2010.10.12(30)优先权数据12/577,6312009.10.12US(71)申请人恒忆公司地址瑞士罗尔(72)发明人R·法肯索尔(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283代理人肖冰滨南毅宁(51)Int.Cl.G11C11/413(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图4页(54)发明名称将相变存储器并入CMOS工艺的非易失性SRAM单元(57)摘要一种SRAM单元，该SRAM单元具有由CMOS技术形成的两个交叉耦合反相器以及第一和第二硫族化物元件，该第一和第二硫族化物元件与SRAM单元相集成，以将非易失性性质添加到存储单元。PCM阻抗被编程为SET状态和RESET状态，并且当加电时，SRAM单元加载包含在PCM单元中的数据。CN10258ACCNN110212252802122536A权利要求书1/2页1.一种存储单元，该存储单元包括：静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元具有两个通道晶体管和四个连接在两个交叉耦合的反相器中的逻辑晶体管，该静态随机存取存储器单元由互补金属氧化物半导体技术形成；以及相变存储器部分，该相变存储器部分层叠在所述静态随机存取存储器单元上，以给该静态随机存取存储器单元提供非易失性。2.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述四个逻辑晶体管中的两个逻辑晶体管为NMOS晶体管，每个NMOS晶体管的源极耦合到所述相变存储器部分中的硫族化物材料的第一节点。3.根据权利要求2所述的存储单元，其中所述硫族化物材料的第二节点耦合到接地电位。4.根据权利要求2所述的存储单元，该存储单元还包括将位线耦合到第一NMOS晶体管源极的第一通道门晶体管以及将互补位线耦合到第二NMOS晶体管的第二通道门晶体管。5.根据权利要求4所述的存储单元，其中所述第一通道门晶体管和第二通道门晶体管的栅极被共同激活，以将所述硫族化物材料中的一个硫族化物材料编程为设置状态，将另一硫族化物材料编程为复位状态。6.根据权利要求5所述的存储单元，其中所述静态随机存取存储器单元加载包含在所述相变存储器部分中的数据。7.根据权利要求1所述的存储单元，该存储单元被排列到非易失性存储器设备中。8.根据权利要求1所述的存储单元，该存储单元形成用于交叉点交换机的存储设备。9.一种存储单元，该存储单元包括：处于静态随机存取存储器单元中的第一通道门晶体管和第二通道门晶体管，该第一通道门晶体管和第二通道门晶体管耦合到位线，用于对两个交叉耦合的反相器进行编程；以及耦合到所述位线的第三通道门晶体管和第四通道门晶体管，用于将第一相变存储器元件编程为设置状态，并将第二相变存储器元件编程为复位状态，其中所述两个交叉耦合的反相器加载所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件的数据。10.根据权利要求9所述的存储单元，其中所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件从所述两个交叉耦合的反相器中的NMOS晶体管的两个源极节点耦合到处于接地电位的导体。11.根据权利要求9所述的存储单元，该存储单元还包括耦合在电源导体和所述两个交叉耦合的反相器中的PMOS晶体管之间的晶体管。12.根据权利要求9所述的存储单元，该存储单元被排列到非易失性存储器设备中。13.根据权利要求9所述的存储单元，该存储单元形成用于交叉点交换机的存储设备。14.一种存储单元，该存储单元包括：处于静态随机存取存储器单元中的第一通道门晶体管和第二通道门晶体管，该第一通道门晶体管和第二通道门晶体管耦合到位线，用于对两个交叉耦合的反相器进行编程；以及第一导体和第二导体，所述第一导体和第二导体分别将第一相变存储器元件编程为设2CCNN110212252802122536A权利要求书2/2页置状态，并将第二相变存储器元件编程为复位状态，其中所述两个交叉耦合的反相器加载所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件的数据。15.根据权利要求14所述的存储单元，其中所述第一相变存储器元件从所述两个交叉耦合的反相器中的NMOS晶体管的源极耦合到所述第一导体，并且所述第二相变存储器元件从所述两个交叉耦合的反相器中的另一个NMOS晶体管的源极耦合到所述第二导体。16.根据权利要求14所述的存储单元，其中所述第一相变存储器元件和第二相变存储器元件集成在所述静态随机存取存储器单元中的NMOS源极触点上。17.一种存储单元，该存储单元包括：互补金属氧化物半导体逻辑，该互补金属氧化物半导体逻辑形成易失性存储器元件；以及相变存储器，该相变存储器被添加到所述互补金属氧化物半导体逻辑，以将非易失性特