光电转换装置.pdf
建英****66
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相关资料
光电转换装置和光电转换系统.pdf
根据实施例的光电转换装置包括:光电转换元件(PD),包括接收来自光电转换元件(PD)的第一信号的栅极的第一晶体管(Mpx),第二晶体管(M2),以及第三晶体管(M3),该第三晶体管(M3)选择性地构成由第一晶体管(Mpx)和第三晶体管(M3)构成的第一差分对和由第二晶体管(M2)和第三晶体管(M3)构成的第二差分对。光电转换装置将基于第一晶体管(Mpx)的栅极处的电压的第二信号输出到第二晶体管(M2)的栅极。
光电转换装置和光电转换系统.pdf
本公开涉及光电转换装置和光电转换系统。在光电转换装置中,像素晶体管和差分晶体管形成差分对。箝位电路钳制差分晶体管的栅极电压。输出电路执行基于像素晶体管的栅极处的电压的电压被输出到差分晶体管的栅极的第一操作。输出电路还执行响应于接收来自差分晶体管的电流,基于像素晶体管的栅极电压与差分晶体管的栅极电压之间的比较结果的信号被输出到输出节点的第二操作。在第二操作中,输出电路中的控制单元控制差分晶体管的漏极电压的变化以使其比输出节点处的电压的变化小。
光电转换装置.pdf
本发明提供一种光电转换装置,在该光电转换装置中,光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的,光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中,第一层包含电极层,第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。
光电转换装置.pdf
本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3),其中,所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物,并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。
光电转换装置.pdf
本发明的一个方式提供一种具有不需要用来与电极连接的开口部的钝化膜的光电转换装置。一种光电转换装置,该光电转换装置在一对电极之间包括:具有p型导电型的硅衬底;形成在硅衬底的一方的面一侧的与一对电极的一方接触的具有n型导电型的硅半导体层;以及形成在硅衬底的另一方的面一侧的与一对电极的另一方接触的具有p型导电型的氧化物半导体层。作为该氧化物半导体层,使用以属于第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。