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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103229309A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103229309103229309A(43)申请公布日2013.07.31(21)申请号201280003826.2(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.15H01L31/04(2006.01)(30)优先权数据2011-0971662011.04.25JP(85)PCT申请进入国家阶段日2013.05.24(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2012/0566492012.03.15(87)PCT申请的公布数据WO2012/147427JA2012.11.01(71)申请人京瓷株式会社地址日本京都府(72)发明人久保新太郎菊池通真浅尾英章牛尾绅之介(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人蒋亭权权利要求书1页利要求书1页说明书10页说明书10页附图6页附图6页(54)发明名称光电转换装置(57)摘要本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3),其中,所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物,并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。CN103229309ACN10329ACN103229309A权利要求书1/1页1.一种光电转换装置,其使用结合了多个半导体粒子的多晶半导体层作为光吸收层,其中,所述半导体粒子含有I-III-VI族化合物,并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。2.根据权利要求1所述的光电转换装置,其中,在所述半导体粒子中,VI-B族元素相对于III-B族元素的组成比PVI在所述表面部比在所述中心部更高。3.根据权利要求2所述的光电转换装置,其中,在所述半导体粒子中,所述组成比PI和所述组成比PVI越靠近所述半导体粒子的表面而越高。4.根据权利要求1~3中任一项所述的光电转换装置,其中,所述I-III-VI族化合物含有Cu作为I-B族元素、含有Se作为VI-B族元素。5.根据权利要求4所述的光电转换装置,其中,所述I-III-VI族化合物含有In和Ga作为III-B族元素。6.根据权利要求1~5中任一项所述的光电转换装置,其中,所述光吸收层具有多个空穴。2CN103229309A说明书1/10页光电转换装置技术领域[0001]本发明涉及含有I-III-VI族化合物半导体的光电转换装置。背景技术[0002]作为用于太阳光发电等的光电转换装置而言,有利用被称为CIS、CIGS等的黄铜矿(Chalcopyrite)系的I-III-VI族化合物半导体而形成光吸收层的光电转换装置。这样的光电转换装置例如在日本特开平8-330614号公报(以下称为专利文献1)中被公开。[0003]I-III-VI族化合物半导体的光吸收系数高,适于光电转换装置的薄型化、大面积化以及抑制制造成本,因而推进了使用I-III-VI族化合物半导体的下一代太阳能电池的研究开发。[0004]这样的含有I-III-VI族化合物半导体的光电转换装置具有平面地并列设置多个光电转换元件的构成。各光电转换元件通过在玻璃等基板上依次层叠金属电极等下部电极、含有光吸收层或缓冲层等的半导体层、和透明电极或金属电极等上部电极而构成。另外,通过使相邻的一方光电转换元件的上部电极与另一方光电转换元件的下部电极利用连接导体来电连接,从而使多个光电转换元件实现串联的电连接。发明内容[0005]含有I-III-VI族化合物半导体的光电转换装置常常需要提高光电转换效率。因此,本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。[0006]本发明的一种实施方式所述的光电转换装置使用结合了多个半导体粒子的多晶半导体层作为光吸收层,其中,所述半导体粒子含有I-III-VI族化合物,并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。[0007]根据本发明的上述实施方式,可提供光电转换效率高的光电转换装置。附图说明[0008]图1是表示从斜上方观察的本发明的一种实施方式所述的光电转换装置的形态的示意图。[0009]图2是表示图1的光电转换装置的剖面的示意图。[0010]图3是表示光吸收层中的半导体粒子的存在的示意图。[0011]图4是图3的光吸收层的放大图。[0012]图5是示意性地表示光电转换装置的制造过程中的形态的剖面图。[0013]图6是示意性地表示光电转换装置的制造过程中的形态的剖面图。[0014]图7是示意性地表示光电转换装置的制造过程中的形态的剖面图。[0015]图8是示意性地表示光电转换装置的制造过程中的形态的剖面图。[0