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III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法.pdf
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III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法.pdf
本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并
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提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a
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在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器中，在角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围时，角度α1为10度以上且25度以下的范围，角度β1为0度以上且5度以下的范围。在与外延面靠近的第一面附近的第一端面中，在m-n面内，第一法线矢量ENV1与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度α1的值(例如10度以上且25度以下的范围)。在基板背面附近的第一端面中，在m-n面内，第二法线矢量ENV2与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角
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本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b
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