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III族氮化物半导体激光元件.pdf
2023-06-14
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茂学****23
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提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a
2023-06-14
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能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不
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本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b
2023-06-14
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在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体
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III族氮化物半导体激光元件、制作III族氮化物半导体激光元件的方法、评价III族氮化物半导体激光元件的光谐振器用的端面.pdf
在III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的基板的半极性面上具有能够减少反馈光的扰乱的激光谐振器的III族氮化物半导体激光器中，在角度ALPHA为71度以上且79度以下的范围时，角度α1为10度以上且25度以下的范围，角度β1为0度以上且5度以下的范围。在与外延面靠近的第一面附近的第一端面中，在m-n面内，第一法线矢量ENV1与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角度α1的值(例如10度以上且25度以下的范围)。在基板背面附近的第一端面中，在m-n面内，第二法线矢量ENV2与c+轴矢量VC+所成的角度具有接近角
2023-06-14
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