电流沿横向流动的电子器件用外延基板及其生产方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102498547102498547B(45)授权公告日2014.11.05(21)申请号201080041478.9H01L21/66(2006.01)(22)申请日2010.07.13H01L29/778(2006.01)H01L29/812(2006.01)(30)优先权数据(56)对比文件2009-1693492009.07.17JPUS5063113,1991.11.05,说明书第1栏第(85)PCT国际申请进入国家阶段日18-23行，第4栏第44-52行、附图4.2012.03.16CN1917231A,2007.02.21,说明书(86)PCT国际申请的申请数据第14行至第3行,第22-23行、PCT/JP2010/0045392010.07.13附图1，13.(87)PCT国际申请的公布数据US7247889B2,2007.07.24,说明书WO2011/007555JA2011.01.20第23-38段.CN101137912A,2008.03.05,说明书(73)专利权人同和电子科技有限公司第2段，第1段.地址日本东京都审查员陈冬冰(72)发明人生田哲也日野大辅坂本陵柴田智彦(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇李茂家(51)Int.Cl.H01L21/205(2006.01)H01L21/338(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图4页附图4页(54)发明名称电流沿横向流动的电子器件用外延基板及其生产方法(57)摘要提供一种使用横向作为电流传导方向的电子器件用外延基板，其中可非接触地精确测量HEMT薄层电阻。还提供一种用于有效制造电子器件用外延基板的方法，其特征在于包括在高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散抑制层的步骤，在前述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层的步骤，通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来制备外延基板的步骤，以及非接触测量所述外延基板的主层压体的电阻的步骤。CN102498547BCN10249857BCN102498547B权利要求书1/1页1.一种生产电子器件用外延基板的方法，其包括以下步骤：在电阻率为5000Ω.cm以上的高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散阻挡层；在所述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层；通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来生产外延基板；和非接触测量所述外延基板的所述主层压体的电阻，其中在外延生长多个第III族氮化物层期间所述杂质扩散阻挡层防止第III族元素从所述高电阻Si单晶基板的所述一个表面扩散到所述高电阻Si单晶基板，和其中横向为所述外延基板中的电流流动方向。2.根据权利要求1所述的生产电子器件用外延基板的方法，其在生产所述外延基板的步骤后进一步包括，至少部分除去所述杂质扩散阻挡层和所述高电阻Si单晶基板的步骤，和在所述主层压体上形成电极的步骤。3.根据权利要求1或权利要求2所述的生产电子器件用外延基板的方法，其中通过热氧化所述一个表面来形成所述杂质扩散阻挡层。4.根据权利要求1或权利要求2所述的生产电子器件用外延基板的方法，其中形成于所述另一表面侧的所述层通过使用化学气相沉积的外延生长来形成。5.一种电子器件用外延基板，其包括：电阻率为5000Ω.cm以上的高电阻Si单晶基板；形成于所述高电阻Si单晶基板的一个表面上的杂质扩散阻挡层；形成于所述高电阻Si单晶基板的另一表面上的作为绝缘层的缓冲层；和通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层形成的主层压体，其中在外延生长多个第III族氮化物层期间所述杂质扩散阻挡层防止第III族元素从所述高电阻Si单晶基板的所述一个表面扩散到所述高电阻Si单晶基板，其中横向为电流流动方向，和所述高电阻Si单晶基板的从所述一个表面至深度1μm的区域中，第III族元素浓度为1×1016原子/cm3以下。6.根据权利要求5所述的电子器件用外延基板，其中所述杂质扩散阻挡层由Si的氧化物、氮化物或碳化物形成。7.根据权利要求5或权利要求6所述的电子器件用外延基板，其中所述缓冲层具有超晶格结构或梯度组成结构。8.根据权利要求5或权利要求6所述的电子器件用外延基板，其中所述缓冲层具有1×1018原子/cm3以上的C浓度。2CN102498547B说明书1/8页电流沿横向流动的电子器件用外延基板及其生产方法技术领域[0001]本发明涉及电子器件用外延基板及其生产方法。本发明具体地涉及其中电流沿横向流动的HEMT用外延基板，以及其