光电转换元件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102598338A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102598338A(43)申请公布日2012.07.18(21)申请号201080048513.X(72)发明人吉村研末信克浩(22)申请日2010.10.29(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(30)优先权数据公司110212009-2487952009.10.29JP代理人蒋亭2010-0542232010.03.11JP(51)Int.Cl.2010-1041152010.04.28JPH01L51/42(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日C08G61/12(2006.01)2012.04.26(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0692592010.10.29(87)PCT申请的公布数据WO2011/052712JA2011.05.05(71)申请人住友化学株式会社地址日本国东京都权利要求书权利要求书22页页说明书说明书7272页页(54)发明名称光电转换元件(57)摘要本发明提供一种短路电流密度和光电转换效率大的光电转换元件。其具有第一电极、第二电极，以及在该第一电极和该第二电极之间的活性层，该活性层含有具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物，使用时间密度泛函法计算得到的该高分子化合物的从基态单重态至最低激发单重态的激发能量的倒数为0.43(eV-1)以上。[化1]〔式中，Ar1和Ar2相同或者不同，表示3价的芳香族烃基或3价的杂环基。X1和X2相同或者不同，表50示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-C(R)(R51)-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-。R50、R51、R3、R4、R5、R6、R7和R8相同或者不同，表示氢原子、卤原子或1价的有机基团。另外，与构成Ar1的环中相邻的原子键合，关于X2和Ar1，与构成Ar2的环中相邻的原子键合〕。CN1025983ACN102598338A权利要求书1/2页1.一种光电转换元件，其具有第一电极、第二电极、以及位于该第一电极和该第二电极之间的活性层，该活性层含有具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物，使用时间密度泛函法计算得到的该高分子化合物的从基态单重态至最低激发单重态的激发能量的倒数为0.43eV-1以上，[化1]式中，Ar1和Ar2相同或者不同，表示3价的芳香族烃基或3价的杂环基，X1和X2相同5051345或者不同，表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-C(R)(R)-、-Si(R)(R)-、-N(R)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-，R50、R51、R3、R4、R5、R6、R7和R8相同或者不同，表示氢原子、卤原子或1价的有机基团，另外，关于X1和Ar2，与构成Ar1的环中相邻的原子键合，关于X2和Ar1，与构成Ar2的环中相邻的原子键合。2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，高分子化合物的从基态单重态至最低激发单重态的激发能量的倒数为0.45eV-1以上。3.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，1价的有机基团为烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳基烷基氧基、芳基烷基硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、氨基、取代氨基、取代甲硅烷基、取代甲硅烷基氧基、取代甲硅烷基硫基、取代甲硅烷基氨基、1价的杂环基、杂环氧基、杂环硫基、芳基烯基、芳基炔基、羧基或氰基。4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，X2为-C(R50)(R51)-。5.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，X1为-O-。6.一种太阳能电池组件，其含有权利要求1所述的光电转换元件。7.一种图像传感器，其包含权利要求1所述的光电转换元件。8.一种有机薄膜晶体管，其具有栅电极、源电极、漏电极和活性层，该活性层含有具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物，使用时间密度泛函法计算得到的该高分子化合物的从基态单重态至最低激发单重态的激发能量的倒数为0.43eV-1以上，[化2]式中，Ar1和Ar2相同或者不同，表示3价的芳香族烃基或3价的杂环基，X1和X2相同5051345或者不同，表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-C(R)(R)-、-Si(R)(R)-、-N(R)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O)(R8)-，R50、R51、R3、R4、R3、R6、R7和R8相同或者不同，表示氢原2CN102598338A权利要求书2/2页子、卤原子或1价有机基团，另外，关于X1和Ar2，与构成Ar1的环中相邻的原子键合，关于X2和Ar1，与构成Ar2的环