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光电转换元件.pdf
本发明提高耐热性。一种光电转换元件,其为包含阳极(12)、阴极(16)、和设置于该阳极与该阴极之间的有源层(14)的光电转换元件(10),其中,有源层包含n型半导体材料和p型半导体材料,n型半导体材料为下述式(I)所示的化合物,p型半导体材料为包含下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中,R<base:Sub>1</base:Sub>和R<base:Sub>2</base:Sub>如说明书中所定义。)(式(II)中,Ar<base:Sup>1</base:Sup>、Ar<base:Sup>
2023-06-07
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光电转换元件.pdf
本发明提供短路电流密度以及光电转换效率大的光电转换元件。所述光电转换元件具有第一电极和第二电极，且在该第一电极和该第二电极之间具有活性层，该活性层中含有具有式(1)表示的结构单元的化合物。【化1】(式中，Ar1以及Ar2相同或不同，表示3价芳香族烃基或3价杂环基。其中，Ar1以及Ar2中至少一个是3价杂环基。X1以及X2相同或不同，表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-C(R50)(R51)-、-Si(R3)(R4)-、-N(R5)-、-B(R6)-、-P(R7)-或-P(＝O
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本发明提供一种短路电流密度和光电转换效率大的光电转换元件。其具有第一电极、第二电极，以及在该第一电极和该第二电极之间的活性层，该活性层含有具有式(1)所表示的结构单元的高分子化合物，使用时间密度泛函法计算得到的该高分子化合物的从基态单重态至最低激发单重态的激发能量的倒数为0.43(eV-1)以上。[化1]〔式中，Ar1和Ar2相同或者不同，表示3价的芳香族烃基或3价的杂环基。X1和X2相同或者不同，表示-O-、-S-、-C(＝O)-、-S(＝O)-、-SO2-、-C(R50)(R51)-、-Si(R3)(
2023-06-14
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本发明的光电转换元件为在基板上依次层叠有下部电极、抑制来自下部电极的电荷注入的电荷阻挡层、包含光电转换层的有机层及包含透明电极层的上部电极的元件。光电转换层由非晶膜构成，且具有P型有机半导体与包含富勒烯的N型有机半导体的本体异质结构。本体异质结构的光电转换层的电离势与N型半导体的电子亲和力之差为1.30eV以上。
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根据本发明一个实施例的第一光电转换元件包括：第一电极；第二电极，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对；和光电转换层，所述光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含发色团、富勒烯或其衍生物和空穴传输材料，其中，所述发色团和所述富勒烯或其衍生物在所述光电转换层中通过交联基团至少部分地彼此结合。
2023-11-01
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