制造III族氮化物半导体发光元件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102694085102694085B(45)授权公告日2014.12.31(21)申请号201210080765.1JP特开2010-153581A,2010.07.08,全文.(22)申请日2012.03.23审查员廉海峰(30)优先权数据2011-0653602011.03.24JP2011-2343472011.10.25JP(73)专利权人丰田合成株式会社地址日本爱知县(72)发明人户谷真悟出口将士(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有董文国(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/46(2010.01)(56)对比文件US2008/0308829A1,2008.12.18,全文.US2007/0114526A1,2007.05.24,权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图6页附图6页(54)发明名称制造III族氮化物半导体发光元件的方法(57)摘要一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。CN102694085BCN10269485BCN102694085B权利要求书1/1页1.一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法，所述III族氮化物半导体发光元件具有包括Ag或Ag合金的反射膜，所述方法包括：形成反射膜的第一步骤；图案化在所述反射膜上的包括耐受湿蚀刻的材料的阻挡金属膜的第二步骤；使用所述阻挡金属膜作为掩模对所述反射膜进行湿蚀刻的第三步骤；以及在所述阻挡金属膜上形成绝缘膜的第四步骤。2.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，还包括在所述第三步骤之后并且在所述第四步骤之前进行干法灰化的步骤。3.根据权利要求2所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述干法灰化是光激发灰化。4.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述第二步骤中的所述阻挡金属膜的所述图案化是通过剥离法进行的。5.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述阻挡金属膜是Ti、Cr或导电氧化物。6.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述阻挡金属膜具有多层结构，并且Ti或Cr构成最上层。7.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述阻挡金属膜具有多层结构并且包括含有Al或导电氧化物的层。8.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述第一步骤是在其它绝缘膜上形成所述反射膜的步骤。9.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述反射膜是形成在p型层上的p电极。10.根据权利要求1所述的制造III族氮化物半导体发光元件的方法，其中所述反射膜的端面与所述阻挡金属膜的端面的位置相同或者在所述阻挡金属膜的端面的内侧。2CN102694085B说明书1/8页制造III族氮化物半导体发光元件的方法技术领域[0001]本发明涉及一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法，所述III族氮化物半导体发光元件具有设置在绝缘膜中的包括Ag或Ag合金的反射膜。背景技术[0002]设置有设置在绝缘膜中的包括Ag的反射膜的III族氮化物半导体发光元件或设置有包括Ag的反射电极作为p电极的倒装芯片型III族氮化物半导体发光元件通常是已知的。例如，专利文件1公开了一种具有如下结构的III族氮化物半导体发光元件，其中p电极和n电极设置在相同的表面侧上，从p电极到n电极的区域覆盖有绝缘膜，并且绝缘膜中设置有反射膜。专利文件2公开了一种III族氮化物半导体发光元件，其包括p型层、形成在p型层上的反射电极以及形成在反射电极上的绝缘层。这些反射膜和反射电极的形成需要对给定区域进行图案化。[0003]专利文件1：JP-A-2005-302747[0004]专利文件2：JP-A-2003-168823[0005]但是，在使用剥离法图案化反射膜和反射电极的情况下，形成的抗蚀剂膜具有倒置的锥形形状。因此，在成为抗蚀剂膜的阴影的区域上的反射膜或反射电极具有锥形形状并且具有小的厚度。因此，不能实现均匀的厚度。这在反射膜或反射电极包括多层的情况下尤其成为问题。在通过湿蚀刻来图案化的方法中，在图