一种肖特基二极管及其制备方法.pdf
Ma****57
亲,该文档总共20页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
一种肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明提供一种肖特基二极管,包括衬底层以及形成在衬底层上方的一系列Ⅲ族氮化物层,利用异质结结构,使相邻Ⅲ族氮化物层之间形成二维电子气沟道,Ⅲ族氮化物层与阴极电极形成欧姆接触,Ⅲ族氮化物层与阳极电极形成肖特基接触;还包括与阳极电极连接的金属场板以及填充在金属场板和最上层的Ⅲ族氮化物层之间的至少一个具有P型掺杂的Ⅲ族氮化物增强层。本发明提供的肖特基二极管能够同时提高反向耐压能力和正向导通能力。
肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括:在衬底上外延n型氧化镓层;在所述n型氧化镓层上制备阳极金属层;在制备了阳极金属层的n型氧化镓层上制备掩膜层;其中,所述掩膜层具有倾斜的侧壁,所述侧壁的上边缘在所述阳极金属层上的投影位于所述阳极金属层的区域内或与所述阳极金属层的边缘重合;对器件正面进行干法刻蚀,直至阳极金属层对应区域以外的掩膜层去除,在所述n型氧化镓层形成内边缘和阳极金属层的边缘重合的斜面结构;去除器件表面残留的掩膜层,对器件正面进行高温退火处理,在n型氧化层中形成
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法,在一个具体示例中,所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括:第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层,所述氧化镓本征层的上方设置有场板;在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环;所述浮动金属环包括1?3个等环间距设置的金属环,环间距为1?7μm,环宽度为0.5?15μm。所述氧化镓肖特基二极管,通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环,将击穿电压分散,使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化,提高了二极管的抗击穿能
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明公开一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法,涉及氧化镓技术领域,包括:欧姆电极;肖特基电极;氧化镓衬底层,连接阴极;氧化镓外延层,连接阳极;其中,肖特基电极在外延层上表面,氧化镓外延层的中间部凸起,中间部周围凹陷,所述肖特基电极在氧化镓外延层中间部凸起的上表面。其在正向导通时,所有的电流只流经一个氧化镓圆台,即这个氧化镓圆台作为唯一的电流通路,不需要现有技术中的鳍型结构中的多个氧化镓高台并联,从而避免了单一高台对于整体器件性能的制约,极大提升了器件制备的成品率。
一种结势垒肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法,该肖特基二极管包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+衬底、N‑外延层、氧化层及阳极金属层,所述N‑外延层的上表面上沿横向方向依次间隔设置有多个P型半导体区,每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结,每个所述PN结均呈正六边形结构,相邻两个PN结之间设置有肖特基势垒金属,所述肖特基势垒金属设置在N‑外延层的上表面上。本发明的肖特基二极管具有高耐压、高频、漏电小、损耗低等特点。