LED外延结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103078020A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103078020103078020A(43)申请公布日2013.05.01(21)申请号201210275054.X(22)申请日2012.08.03(71)申请人光达光电设备科技（嘉兴）有限公司地址314300浙江省嘉兴市海盐县盐北路211号科创园西区1号楼3楼(72)发明人林翔马培培陈勇梁秉文(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人王宏婧(51)Int.Cl.H01L33/04(2010.01)H01L33/14(2010.01)H01L33/20(2010.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图2页附图2页(54)发明名称LED外延结构(57)摘要本发明提供了一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，还包括：第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层的材质为III-V族化合物。本发明提高了LED外延结构的量子效率。CN103078020ACN103782ACN103078020A权利要求书1/2页1.一种LED外延结构，包括：衬底，所述衬底上形成有第一半导体层；多量子阱层，位于所述第一半导体层上；第二半导体层，位于所述多量子阱层上，所述第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反，其特征在于，还包括：第三半导体层，位于第二半导体层上，所述第三半导体层的导电类型与第一半导体层的导电类型相同以提高扩展电流分布的均匀性，所述第三半导体层的材质为III-V族化合物。2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：透明粗化层，位于所述第三半导体层上，所述透明粗化层用于使得光线透出，所述透明粗化层的上表面为粗化处理的表面以使得更多的光线透过，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层的折射率与所述上表面面对的介质的折射率之间。3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：封装材料层，位于所述透明粗化层上，所述透明粗化层的折射率介于所述第三半导体层与所述封装材料层的折射率之间。4.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的折射率范围为1.6～2.1。5.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟、氧化锌、氧化铝锌或上述材料中的至少两种构成的复合材料。6.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层包括至少两层：低速沉积层，以较低的沉积速率形成，以提高所述低速沉积层与下方的材料层的结合的强度；高速沉积层，以较高的沉积速率形成，以使得形成的高速沉积层的上表面为粗糙的表面，所述高速沉积层形成于所述低速沉积层的上方，且所述高速沉积层的沉积速率大于所述低速沉积层的沉积速率。7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度范围为10～800埃，所述高速沉积层的厚度范围为500～2000埃。8.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的厚度小于所述高速沉积层的厚度。9.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述低速沉积层的沉积速率为0.5～2埃每秒，所述高速沉积层的沉积速率不小于10埃每秒。10.如权利要求2或6所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层对波长为450～475纳米的光线的吸收率不超过15％。11.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述透明粗化层的材质为氧化锡铟。12.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一半导体层的导电类型和第三半导体层的导电类型为N型，所述第二半导体层的导电类型为P型。13.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：第一重掺杂半导体层，位于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间。14.如权利要求13所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层的导电类型与所述第二半导体层的导电类型相同。15.如权利要求13所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层的导电2CN103078020A权利要求书2/2页类型为P型，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子的浓度为所述第二半导体层的掺杂离子浓度的100倍以上。16.如权利要求13～15中任一权利要求所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一重掺杂半导体层的掺杂离子为Mg离子。17.如权利要求13所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：第二重掺杂半导体层，位于所述第一重掺杂