喷淋头以及气相沉积反应腔.pdf
一只****呀淑
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喷淋头以及气相沉积反应腔.pdf
本发明公开了一种喷淋头以及包括所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧;所述III族源气体腔和V族源气体腔之间至少具有两个相互隔离、层叠设置的冷却腔,所述的至少两个冷却腔用于对从所述V族源气体腔一侧传来的热量进行冷却。因此,能够使得喷淋头内的温度较为缓和的变化,
喷淋头以及气相沉积反应腔.pdf
本发明涉及一种应用于III-V族材料沉积反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧,所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。本发明还提供一种具有所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡,来自所述反应区域的热辐射能加热所述V族源气体腔,有助V族源气体的分解;并且,所述冷却
气体喷淋头以及气相沉积反应腔.pdf
本发明涉及一种应用于III-V族化合物材料沉积反应腔的气体喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述气体喷淋头邻近所述反应区域设置,所述气体喷淋头用于向所述反应区域输运反应气体,所述气体喷淋头包括III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔设置于所述反应区域的一侧,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧。本发明还提供了一种气相沉积反应腔,所述气相沉积反应腔包括反应腔和上述的气体喷淋头。采用本发明的所述气体喷淋头可以提高V族源气体的利用率;并且,可以防止III族源气体过快分解,从
反应腔及化学气相沉积装置.pdf
本发明提供了一种反应腔及化学气相沉积装置,反应腔包括腔本体和设置于腔本体内的支撑座和支架组件,支架组件包括第一支架和第二支架,第一支架的第一端和第二支架的第一端设置于支撑座上,第一支架的第二端和第二支架的第二端为自由端,且第一支架的第二端至支撑座的距离大于第二支架的第二端至支撑座的距离,第一支架的第二端用于朝向支撑座移动。本方案避免了样品表面与支架接触面上的沉积盲区,只需进行一次开炉沉积即可完成对整个样品表面的沉积覆盖,而不需要进行二次开炉沉积,很大程度上提高了沉积效率,降低生产消耗。
反应腔及化学气相沉积装置.pdf
本发明提供了一种反应腔及化学气相沉积装置,反应腔包括腔本体和输送盲管,腔本体内具有腔室,腔本体上设置有连通腔室的进气口,输送盲管的开口端与进气口连接,输送盲管的封闭端延伸至腔室内,输送盲管上设置有若干贯穿输送盲管的管壁的分流嘴,分流嘴内设置有连通输送盲管与腔室的排气孔道,分流嘴沿输送盲管的轴向间隔分布,且分流嘴的横截面大小沿封闭端至开口端的方向逐渐增大。本技术方案,在输送盲管上的多个分流嘴使得腔室内的气体均匀分布,保证各处的样品的沉积厚度的均匀性。另外,分流嘴的横截面大小沿封闭端至开口端的方向逐渐增大,使