预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共13页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103173742A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103173742103173742A(43)申请公布日2013.06.26(21)申请号201310128256.6(22)申请日2013.04.12(71)申请人光垒光电科技(上海)有限公司地址200050上海市长宁区延安西路889号1106B室(72)发明人林翔(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人郑玮(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/30(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书7页说明书7页附图4页附图4页(54)发明名称喷淋头以及气相沉积反应腔(57)摘要本发明涉及一种应用于III-V族材料沉积反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧,所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。本发明还提供一种具有所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡,来自所述反应区域的热辐射能加热所述V族源气体腔,有助V族源气体的分解;并且,所述冷却腔阻挡所述III族源气体腔以降低所述III族源气体腔中的III族源气体的温度,防止III族源气体过快分解,从而提高沉积效率。CN103173742ACN103742ACN103173742A权利要求书1/1页1.一种应用于III-V族材料沉积反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,其特征在于:所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧,所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。2.如权利要求1所述的喷淋头,其特征在于:所述喷淋头进一步包括第一气管,所述第一气管穿过所述冷却腔和所述V族源气体腔,所述第一气管连通所述III族源气体腔和所述反应区域,所述V族源气体腔与所述反应区域之间的设置有出气通道,所述V族源气体腔与所述反应区域之间通过所述出气通道连通。3.如权利要求2所述的喷淋头,其特征在于:所述喷淋头包括:顶板、底板以及设置在所述顶板与底板之间的第一板和第二板;在所述顶板与所述第一板之间形成密闭的III族源气体腔,在所述底板与所述第二板之间形成密闭的V族源气体腔,在所述第一板和第二板之间形成密闭的冷却腔,所述底板位于邻近所述反应区域一侧;所述第一气管依次穿过所述第一板、第二板和所述底板从而连通所述III族源气体腔和所述反应区域;所述出气通道设置在所述底板,所述出气通道穿过所述底板连通V族源气体腔与所述反应区域。4.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于:所述出气通道为设置在所述底板上的气体孔。5.如权利要求4所述的喷淋头,其特征在于:所述气体孔的直径大于所述第一气管的直径,所述第一气管设置于所述气体孔中。6.如权利要求3所述的喷淋头,其特征在于:所述底板为网状结构板,所述出气通道为所述网状结构板的孔眼。7.如权利要求1-6中任意一项所述的喷淋头,其特征在于:所述III族源气体腔内通入III族源气体,所述III族源气体为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合,所述V族源气体腔内通入V族源气体,所述V族源气体为磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合。8.一种气相沉积反应腔,其包括腔体、用于装载衬底的托盘和喷淋头,所述托盘设置于所述腔体的底部,所述喷淋头设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置,所述托盘与所述喷淋头之间限定气体反应区域,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,其特征在于:所述喷淋头为如权利要求1-7中任意一项所述的喷淋头。9.如权利要求8所述的气相沉积反应腔,其特征在于:所述气相沉积反应腔进一步包括加热器,所述加热器设置于所述托盘背离所述反应区域一侧,用于加热所述托盘。10.如权利要求8所述的气相沉积反应腔,其特征在于:在气相沉积工艺时,所述托盘的温度为700℃~1400℃。2CN103173742A说明书1/7页喷淋头以及气相沉积反应腔技术领域[0001]本发明涉及半导体设备技术领域,特别是涉及一种喷淋头以及气相沉积反应腔。背景技术[0002]自GaN(氮化镓)基第三代半导体材料的兴起,蓝光LED(发光二极管)研制成功,LED的发光强度和白光发光效率不断提高。LED被认为是下一代进入