半导体器件及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112331661A(43)申请公布日2021.02.05(21)申请号202011208819.9(22)申请日2020.11.03(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人汤召辉张磊周玉婷乔思(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人骆希聪(51)Int.Cl.H01L27/11524(2017.01)H01L27/11551(2017.01)H01L27/1157(2017.01)H01L27/11578(2017.01)权利要求书2页说明书9页附图9页(54)发明名称半导体器件及其制作方法(57)摘要本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括平台区和与平台区相邻的台阶区，平台区和台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖平台区上表面和台阶区表面的第三材料层；形成填充台阶区且覆盖平台区的第四材料层；去除平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于平台区上靠近台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在平台区上表面的第二材料层和第三材料层。该制作方法增大了接触孔的连接窗口，有效避免了平台区边缘处的过磨。CN112331661ACN112331661A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括平台区和与所述平台区相邻的台阶区，所述平台区和所述台阶区的顶部为第二材料层；形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面的第三材料层；形成填充所述台阶区且覆盖所述平台区的第四材料层；去除所述平台区上的第三材料层和第四材料层，且保留位于所述平台区上靠近所述台阶区的边缘的第三材料层和第四材料层；进行第一次平坦化，所述第一次平坦化去除凸起的第四材料层，且停留在所述平台区上表面的第二材料层和第三材料层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：去除所述平台区上表面的第三材料层；去除所述平台区顶部的第二材料层以露出第一材料层；以及进行第二次平坦化，所述第二次平坦化去除所述台阶区上的第四材料层的部分厚度，且停留在所述平台区顶部的第一材料层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二次平坦化同时去除所述平台区顶部的部分第一材料层。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面的第三材料层的方法包括：形成覆盖所述平台区上表面和所述台阶区表面及侧壁的第三材料层；以及去除覆盖在所述台阶区侧壁的第三材料层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次平坦化同时去除所述平台区上表面远离所述台阶区的边缘的第三材料层及所述平台区上靠近所述台阶区的边缘的第三材料层的一部分。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料层包括介质层，所述第二材料层包括伪栅极层。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三材料层的材料包括氮氧化硅、氧化铝、氮化钛中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第四材料层的材料包括氧化硅。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，使用化学机械抛光进行所述第一次平坦化，且所述第四材料层相对于所述第三材料层的抛光选择比大于10。10.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，使用干法刻蚀去除所述平台区上表面的第三材料层，且所述第三材料层相对于所述第一材料层和/或所述第二材料层的刻蚀选择比大于10。11.一种半导体器件，其特征在于，包括：由第一材料层和第二材料层交替堆叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括平台区和与所述平台区相邻的台阶区，所述平台区的顶部为第一材料层，所述台阶区的顶部为第二材料层；覆盖所述台阶区表面的第三材料层；以及填充所述台阶区的第四材料层；2CN112331661A权利要求书2/2页其中，所述平台区的上表面与所述第四材料层的上表面齐平。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述堆叠结构下的衬底。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一材料层包括介质层，所述第二材料层包括伪栅极层。14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第三材料层的材料包括氮氧化硅、氧化铝、氮化钛中的一种或多种。15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第四材料层的材料包括氧化硅。3CN112331661A说明书1/9页半导体器件及其制作方法技术领域[000