有机电致发光器件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104009167104009167A(43)申请公布日2014.08.27(21)申请号201310059607.2(22)申请日2013.02.26(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰王平黄辉张振华(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/54(2006.01)H01L51/56(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图2页附图2页(54)发明名称有机电致发光器件及其制备方法(57)摘要一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述空穴注入层的材料包括镧系氧化物及掺杂在所述镧系氧化物中的铜族氧化物和p型有机空穴材料，所述铜族氧化物占所述镧系氧化物的质量百分数为10%～30%，所述p型有机空穴材料占所述镧系氧化物的质量百分数为0.1%～5%，上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。CN104009167ACN104967ACN104009167A权利要求书1/1页1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述空穴注入层的材料包括镧系氧化物及掺杂在所述镧系氧化物中的铜族氧化物和p型有机空穴材料，所述铜族氧化物占所述镧系氧化物的质量百分数为10%～30%，所述p型有机空穴材料占所述镧系氧化物的质量百分数为0.1%～5%，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述铜族氧化物选自氧化铜、氧化银及氧化亚铜中的至少一种，所述p型有机空穴材料选自2,3,5,6-四氟-7,7′,8,8′-四氰二甲基对苯醌、4,4′,4"-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺、4,4′,4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺及4,4′,4"-三(N,N-2-苯基氨基)三苯胺中的至少一种。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为5nm~40nm。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基底的背面磁控溅射制备阳极，所述阳极的表面电子束制备空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括镧系氧化物及掺杂在所述镧系氧化物中的铜族氧化物和p型有机空穴材料，所述铜族氧化物占所述镧系氧化物的质量百分数为10%～30%，所述p型有机空穴材料占所述镧系氧化物的质量百分数为0.1%～5%，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述铜族氧化物选自氧化铜、氧化银及氧化亚铜中的至少一种，所述p型有机空穴材料选自2,3,5,6-四氟-7,7′,8,8′-四氰二甲基对苯醌、4,4′,4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺、4,4′,4"-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺及4,4′,4"-三(N,N-2-苯基氨基)三苯胺中的至少一种，及在所述空穴注入层的表面依次蒸镀制备发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述空穴注入层的厚度为5nm~40nm。8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述空穴注入层采用电子束制备，所述电子束制备在真空压力为5×10-5Pa~2×10-3Pa下进行，能量密度为10W/cm2～l00W/cm2。9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述蒸镀在真空压力为5×10-5Pa~2×10-3Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射