预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共11页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104300086104300086A(43)申请公布日2015.01.21(21)申请号201310302716.2(22)申请日2013.07.18(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰黄辉冯小明王平(74)专利代理机构深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司44232代理人刘抗美刘耿(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/54(2006.01)H01L51/56(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书7页说明书7页附图1页附图1页(54)发明名称有机电致发光器件及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层,所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成。本发明的有机电致发光器件通过第五副族金属氧化物层提高光子利用率,有效提高光的散射,使向两侧发射的光散射回到中间结晶层,有效提高器件的稳定性、光的反射和阴极的导电性。CN104300086ACN104386ACN104300086A权利要求书1/2页1.一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层,其特征在于,所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成;其中,所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒;所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒;所述的第五副族金属化合物掺杂层由质量比为1:1~5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属组成,该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒,该高功函数金属为银、铝、铂或金。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm~40nm。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述结晶层的厚度为200nm~400nm。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm~500nm。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃;所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺;所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝;所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑;所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)清洗干净阳极导电基底,用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;(b)在蒸镀的方法下,在电子注入层上制备第五副族金属氧化物层,然后在第五副族金属氧化物层上制备结晶层,接着在结晶层上制备第五副族金属化合物掺杂层;其中,所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒;所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒;所述的第五副族金属化合物掺杂层具有质量比为1:1~5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属,该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒,该高功函数金属为银、铝、铂或金。7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm~40nm。2CN104300086A权利要求书2/2页8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述结晶层的厚度为200nm~400nm。9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm~500nm。10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述蒸镀的压强为2×10-3~5×10-5Pa,在空穴注入层、