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第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法.pdf
2023-06-14
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子璇****君淑
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第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法.pdf
本发明涉及第III族氮化物半导体器件及其制造方法。具体地，本发明提供了一种表现出提高的光提取效率的第III族氮化物半导体发光器件。AlGaN半导体层形成为与p-GaN?p接触层接触并且形成在p-GaN?p接触层上，并且ITO透明电极形成为与半导体层接触并且形成在半导体层上。半导体层包含具有10摩尔％至50摩尔％的Al组成比的AlGaN，并且具有至的厚度。半导体层具有在发射波长下比p接触层的折射率低且比透明电极的折射率高的折射率。通过形成这样的半导体层，抑制了p接触层与透明电极之间的反射，从而提高了光提取效
2023-06-14
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本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。具体而言，提供了一种包括覆盖层和接合层的第III族氮化物半导体发光器件，该器件意在抑制驱动电压的增加；还提供了一种用于制造该发光器件的方法。第III族氮化物半导体发光器件包括半导体层、p电极以及在p电极的与半导体层相反的表面上形成的覆盖层。覆盖层通过在p电极上依次堆叠粘合层和第一金属覆盖层而形成。粘合层由具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的材料形成。第一金属覆盖层具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能。
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公开了一种容易形成非发光区域的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。活化Mg以将p型层转换为p型，接着在p型层上形成p电极。将Ag膏施加到p电极上的与在下面的步骤中形成的n电极重叠的区域。进行热处理以固化Ag膏，从而形成Ag膏固化体。通过这些步骤，将p型层的在平面视图中与Ag膏固化体重叠的区域转换为具有高电阻的区域，从而形成高电阻区域。因此，发光层的在平面视图中与高电阻区域重叠的区域变成非发光区域。
2023-06-14
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第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法.pdf
本发明提供第III族氮化物半导体器件及其制造方法。本发明提供的第III族氮化物半导体器件旨在松弛施加到发光层的应力。所述发光器件包括MQW层和形成在MQW层下方的n侧超晶格层。n侧超晶格层是通过重复地沉积层单元形成的，其中每个单元包括从蓝宝石衬底一侧依次沉积的InGaN层、GaN层和n-GaN层。在n侧超晶格层中，较靠近MQW层的InGaN层具有较高的In组成比。n侧超晶格层的InGaN层(其最靠近MQW层)的In组成比是MQW层的InGaN层(其最靠近n侧超晶格层)的In组成比的70％至100％。
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本发明提供了一种具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。P型半导体层的形成步骤包括：通过供给掺杂剂气体和包含至少第III族元素的第一原料气体在发光层上形成p侧超晶格层的p型覆层形成步骤；通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p侧超晶格层上形成p型中间层的p型中间层形成步骤；在p型中间层形成步骤之后，供给掺杂剂气体同时停止供给第一原料气体的掺杂剂气体供给步骤；以及掺杂剂气体供给步骤之后，通过供给第一原料气体和掺杂剂气体在p型中间层上形成p型接触层的p型接触层形成步骤。
2023-06-14
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