制备半导体层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104508847A(43)申请公布日2015.04.08(21)申请号201380032455.5(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038(22)申请日2013.06.17代理人王海宁(30)优先权数据1210858.52012.06.19GB(51)Int.Cl.H01L51/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L51/05(2006.01)2014.12.19(86)PCT国际申请的申请数据PCT/GB2013/0002672013.06.17(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/190255EN2013.12.27(71)申请人剑桥显示技术有限公司地址英国剑桥(72)发明人C·纽萨姆权利要求书4页说明书20页附图3页(54)发明名称制备半导体层的方法(57)摘要一种制备有机电子器件的半导体层方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂，其中所述第一芳族溶剂具有式(I)：其中123R选自C1-6烷基和OC1-6烷基；和R和R各自独立地选自H和CC1-6烷基。CN104508847ACN104508847A权利要求书1/4页1.一种制备有机电子器件的半导体层的方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂。2.权利要求1所述的方法，其中，在所述加热步骤中使基本上所有的溶剂蒸发。3.权利要求1或2所述的方法，其中，在所述沉积步骤中基本上无溶剂蒸发。4.任一前述权利要求所述的方法，其中，通过旋涂进行沉积。5.任一前述权利要求所述的方法，其中，通过热板进行加热。6.任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一芳族溶剂具有120至165℃的沸点。7.任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第一芳族溶剂具有式(I)：其中1R选自C1-6烷基和OC1-6烷基；和23R和R各自独立地选自H和C1-6烷基。8.权利要求1至7任一项所述的方法，其中，所述第一芳族溶剂选自甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、甲氧基苯和均三甲苯。9.任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少25℃。10.任一前述权利要求所述的方法，其中，所述第二芳族溶剂具有式(IIa)或(IIb)：其中4R选自OC1-6烷基或C(O)OC1-6烷基；56R和R各自独立地选自H、C1-6烷基、OC1-6烷基或C(O)OC1-6烷基；且n是1、2或3。11.权利要求10所述的方法，其中，所述第二芳族溶剂具有式(IIa)。412.权利要求10或11所述的方法，其中，R是OC1-6烷基。513.权利要求12所述的方法，其中，R是C1-6烷基或OC1-6烷基。14.权利要求12或13的方法，其中，R6是H。415.权利要求10或11所述的方法，其中，R是C(O)OC1-6烷基。516.权利要求15所述的方法，其中，R是H或C1-6烷基。17.权利要求15或16所述的方法，其中，R6是H。18.权利要求10所述的方法，其中，所述第二溶剂具有式(IIb)。2CN104508847A权利要求书2/4页19.权利要求1至10任一项所述的方法，其中，所述第二芳族溶剂选自：乙氧基苯、2-甲基苯甲醚、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、1-乙氧基-2-甲基苯、1-乙氧基-3-甲基苯、1-乙氧基-4-甲基苯、苯乙酮、四氢化萘、1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、1,4-二甲氧基苯、1-甲氧基-2-乙氧基苯、1-甲氧基-3-乙氧基苯、1-甲氧基-4-乙氧基苯、苯甲酸乙酯、1,2-二乙氧基苯、2-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、4-甲基苯乙酮、2-乙基苯乙酮、3-乙基苯乙酮、4-乙基苯乙酮、1,3-二乙氧基苯、1,4-二乙氧基苯、2-甲氧基苯乙酮、3-甲氧基苯乙酮、4-甲氧基苯乙酮、2-甲基苯甲酸乙酯、3-甲基苯甲酸乙酯、4-甲基苯甲酸乙酯、2-乙基苯甲酸乙酯、3-乙基苯甲酸乙酯、4-乙基苯甲酸乙酯。20.权利要求1至10任一项所述的方法，其中，所述第二芳族溶剂选自2-甲基苯甲醚、1,3-二甲氧基苯、苯甲酸乙酯和四氢化萘。21.任一前述权利要求所述的方法，其中，所述聚合物半导体包含式(IIIa)的重复单元：其中R1和R2相同或不同并且各自选自如下：氢，具有1至16个碳原子的烷基，具有5至14个碳原子的芳