铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料、制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104650901A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.05.27(21)申请号201310578156.3(22)申请日2013.11.18(71)申请人海洋王照明科技股份有限公司地址518000广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层申请人深圳市海洋王照明技术有限公司深圳市海洋王照明工程有限公司(72)发明人周明杰陈吉星王平张振华(74)专利代理机构广州三环专利代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.C09K11/78(2006.01)C09K11/80(2006.01)H01L33/50(2010.01)权利要求书1页说明书8页附图2页(54)发明名称铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料、制备方法及其应用(57)摘要一种铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料，所述铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料的化学式为3+Me3Sc2Sn3O12:xEr，其中，x为0.01～0.05，Me为铝元素、镓元素、铟元素或铊元素。该发光材料的电致发光光谱（EL）中，在610nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光器件中。本发明还提供该铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料的制备方法及其应用。CN104650901ACN104650901A权利要求书1/1页1.一种铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料，其特征在于，所述铒掺杂三族钪锡酸盐发光材3+料的化学式为Me3Sc2Sn3O12:xEr，其中，x为0.01～0.05，Me为铝元素、镓元素、铟元素或铊元素。2.根据权利要求1所述的铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料，其特征在于，所述x为0.03。3.一种铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，采用氩气为3+载气，根据Me3Sc2Sn3O12:xEr各元素的化学计量比将β二酮三族金属源、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钪和四乙基锡和三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒通入反应室内；3+在反应室中通入氧气，进行化学气相沉积得到化学式为Me3Sc2Sn3O12:xEr的铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料，其中，x为0.01～0.05，Me为铝元素、镓元素、铟元素或铊元素。4.根据权利要求3所述的铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述氧气气流量为10～200sccm。5.一种薄膜电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材质为所述铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料，所述铒掺杂三族钪锡酸盐3+发光材料的化学式为Me3Sc2Sn3O12:xEr，其中，x为0.01～0.05，Me为铝元素、镓元素、铟元素或铊元素。6.根据权利要求5所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述x为0.03。7.根据权利要求5所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；将所述衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节所述具有阳极的衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分3+钟，采用氩气为载气，根据Me3Sc2Sn3O12:xEr各元素的化学计量比将β二酮三族金属源、三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钪、四乙基锡和三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒通入反应室内；在反应室中通入氧气，进行化学气相沉积，得到发光层，所述发光层的材质为铒掺杂三3+族钪锡酸盐发光材料，所述铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料的化学式为Me3Sc2Sn3O12:xEr，其中，x为0.01～0.05，Me为铝元素、镓元素、铟元素或铊元素；在所述发光层上制备阴极，得到所述薄膜电致发光器件。9.根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述氧气气流量为10～200sccm。2CN104650901A说明书1/8页铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料、制备方法及其应用【技术领域】[0001]本发明涉及一种铒掺杂三族钪锡酸盐发光材料、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。【背景技术】[0002]薄膜电致发光器件(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，