半导体器件及其制造方法.pdf

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：在切割道区的第一沟槽上的光刻胶层中形成第一开口，且在器件区上的光刻胶层中形成第二开口，第一开口的底部保留部分厚度的光刻胶层，第二开口暴露出器件区的器件晶圆的顶表面；以及，执行刻蚀工艺，以去除第一开口的底部保留的光刻胶层，并在第一开口的底部的器件晶圆中形成第二沟槽，在第二开口的底部的器件晶圆中形成第三沟槽，第二沟槽的深度小于第三沟槽的深度。本发明的技术方案使得切割道区的用于制作对准标记的第二沟槽的深度与器件区的用于制作器件结构的第三沟槽的

2023-11-10

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半导体器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种包括气态间隔件的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种方法，包括：在衬底上形成栅极叠层；在所述栅极叠层的侧壁上形成第一栅极间隔件；在所述第一栅极间隔件上形成第二栅极间隔件；移除所述第二栅极间隔件的一部分，保留所述第二栅极间隔件的至少一部分；移除所述第一栅极间隔件，以形成第一开口；以及在移除所述第一栅极间隔件后，通过所述第一开口移除所述第二栅极间隔件的所述保留部分。

2023-11-14

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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成栅叠层；在所述栅叠层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述栅叠层；在所述停止层上形成牺牲层；将所述牺牲层图案化，使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留从而形成牺牲侧墙；采用所述栅叠层和所述牺牲侧墙作为第一硬掩模，在所述衬底上进行第一次离子注入，以形成源漏区；去除所述牺牲侧墙；以及采用所述栅叠层作为第二硬掩模，在所述衬底上进行第二次离子注入，以形成轻掺杂漏区。该方法采用同一个光致抗蚀剂掩模，采用牺牲侧墙作为附加的硬掩模形成源漏区，在去除牺

2023-11-17

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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构；在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构，例如源极/漏极区域。使用定向蚀刻来至少部分地去除虚设栅极，以去除一些但并非全部的虚设栅极以形成沟槽。虚设栅极的一部分保留并保护相邻结构。然后可以在沟槽中形成栅极电极。可以采用两步骤工艺，首先使用各向同性蚀刻，然后进行定向蚀刻。

2023-11-09

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，通过采用先在绝缘体上硅衬底的顶部半导体层中形成横向排布的多个纳米线板，之后，再利用现有的形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方式，在沿横跨多个所述纳米线板的方向，形成全环栅的栅极结构。由于本发明是在包含绝缘埋层的绝缘体上硅衬底中形成横向排布的纳米线板(沟道)，因此，在后续步骤形成源极(源区)和漏极(漏区)的时候，无需按照现有的全环栅形成方式，先形成内隔离层，再形成源/漏极，从而在提出一种新型形成全环栅的方法的同时，

2023-06-01

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