一种二维过渡金属硫族化物薄膜及其制备方法和应用.pdf

本发明涉及一种二维过渡金属硫族化物薄膜及其制备方法和应用，所述二维过渡金属硫族化物指的是：ZrS

2023-06-14

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一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用.pdf

本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中S或Se的浓度，以达到控制过渡金属层硫化或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长TMDs单晶；将沉积时的温度控制为750℃至850℃，并且沉积时间控制为5至15分钟，完成TMDs单晶的制备；其中通过对基底溅射处理方法、硫族单质粉末用量、吸S/Se金属面积和种类、氢气浓度、生长温度、生长时间等制备参数的优化，实现对高质量二维过渡金属二硫族化合物单晶结构的严格控

2023-06-14

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一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用.pdf

本发明公开了一种过渡金属硫化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括：制备厚度大于或等于100nm的过渡金属前驱体薄膜；而后将过渡金属前驱体薄膜置于700～850℃条件下，在包括体积流量比为(1～2)：1的氢气和硫化氢的混合气体作用下硫化反应60～120min。通过以上方法可通过控制制备过程的工艺参数实现对产品薄膜中硫含量沿垂直于薄膜表面的方向分布的有效控制，进而实现晶圆级过渡金属硫化物薄膜的制备和组分控制，其工艺简单，易于操作，具有可控性、可重复性、工艺兼容性，适于工业化生产。

2023-08-04

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二维过渡金属硫族化物的制备及光电特性研究.docx

二维过渡金属硫族化物的制备及光电特性研究摘要：二维过渡金属硫族化物因其特殊的结构和优异的电子性质，正在成为光电材料领域的研究热点。本论文综述了二维过渡金属硫族化物的制备方法，包括机械剥离法、溶液剥离法和化学气相沉积法等。同时，对二维过渡金属硫族化物的光电特性进行了研究，包括光吸收、光电转换效率和光电导率等方面。研究发现，二维过渡金属硫族化物具有宽广的光吸收范围、高效的光电转换效率和优异的光电导率，具备广泛的潜在应用价值。本论文为深入理解二维过渡金属硫族化物的制备及光电特性提供了重要的参考。关键词：二维过渡

2024-10-23

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金属硫属化物薄膜的制备方法.pdf

本发明公开了一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的三个温度区域；其中，所述硫族元素源、金属元素源、基片分别放置在所述三个温度区域；控制三个温度区域，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽以及加热所述基片至预定沉积温度；提供载气并使其顺序流过所述三个温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜。本发明方法简单，制

2023-06-14

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