一种高吸收率高发射率涂层的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109943874A(43)申请公布日2019.06.28(21)申请号201910382620.9(22)申请日2019.05.08(71)申请人哈尔滨工业大学地址150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号(72)发明人姚忠平李响孙秋陈昌举夏琦兴李东琦姜兆华(74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所23109代理人岳泉清(51)Int.Cl.C25D11/30(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种高吸收率高发射率涂层的制备方法(57)摘要一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有的镁锂合金表面处理技术制备的涂层结合力差，不稳定，易老化脱落，吸收率低，发射率低，不利于其在航天器上的应用的问题。方法：一、试件前处理；二、微弧氧化法在硅酸盐电解液体系中制备高吸收高发射率的热控涂层。本发明制备的热控涂层有较高的吸收率和发射率，有很好的热控性能。本发明可获得一种高吸收率高发射率涂层。CN109943874ACN109943874A权利要求书1/2页1.一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于一种高吸收率高发射率涂层的制备方法是按以下步骤完成的：一、试件前处理：①、依次使用240#、600#和1000#的水磨砂纸对试件进行打磨处理，得到表面光亮的试件；②、使用蒸馏水对表面光亮的试件清洗3次～5次，再使用无水乙醇对表面光亮的试件清洗3次～5次，得到处理后的试件；二、制备热控涂层：把电解液倒入不锈钢电解槽里，再将处理后的试件浸到电解液里，处理后的试件连接脉冲电源的正极，作为阳极；脉冲电源的负极连接不锈钢电解槽，作为阴极；开启搅拌器和冷却水，在搅拌速度为30r/min～150r/min、电流密度为2A/dm2～5A/dm2、电源频率300Hz～1000Hz、占空比为20％～40％和电解液温度为10℃～50℃的条件下进行等离子体电解氧化反应5min～20min，在试件表面得到高吸收率高发射率涂层；步骤二中所述的电解液由硅酸钠、六偏磷酸钠、氟化钾、偏钒酸铵、EDTA、柠檬酸三钠和水组成；所述的电解液中硅酸钠的浓度为10g/L～30g/L，六偏磷酸钠的浓度为10g/L～30g/L，氟化钾的浓度为5g/L～20g/L，偏钒酸铵的浓度为3g/L～20g/L，EDTA的浓度为5g/L～20g/L，柠檬酸三钠的浓度为1g/L～10g/L。2.根据权利要求1所述的一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的试件为镁锂合金。3.根据权利要求1所述的一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中把电解液倒入不锈钢电解槽里，再将处理后的试件浸到电解液里，处理后的试件连接脉冲电源的正极，作为阳极；脉冲电源的负极连接不锈钢电解槽，作为阴极；开启搅拌器和冷却水，在搅拌速度为30r/min～80r/min、电流密度为2A/dm2～3A/dm2、电源频率300Hz～600Hz、占空比为20％～30％和电解液温度为10℃～30℃的条件下进行等离子体电解氧化反应5min～10min，在试件表面得到高吸收率高发射率涂层。4.根据权利要求1所述的一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中把电解液倒入不锈钢电解槽里，再将处理后的试件浸到电解液里，处理后的试件连接脉冲电源的正极，作为阳极；脉冲电源的负极连接不锈钢电解槽，作为阴极；开启搅拌器和冷却水，在搅拌速度为80r/min～100r/min、电流密度为3A/dm2～5A/dm2、电源频率600Hz～1000Hz、占空比为30％～40％和电解液温度为30℃～50℃的条件下进行等离子体电解氧化反应5min～8min，在试件表面得到高吸收率高发射率涂层。5.根据权利要求1所述的一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的电解液由硅酸钠、六偏磷酸钠、氟化钾、偏钒酸铵、EDTA、柠檬酸三钠和水组成；所述的电解液中硅酸钠的浓度为16g/L～24g/L，六偏磷酸钠的浓度为20g/L～30g/L，氟化钾的浓度为10g/L～20g/L，偏钒酸铵的浓度为3g/L～5g/L，EDTA的浓度为10g/L～20g/L，柠檬酸三钠的浓度为1g/L～4g/L。6.根据权利要求1所述的一种高吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的电解液由硅酸钠、六偏磷酸钠、氟化钾、偏钒酸铵、EDTA、柠檬酸三钠和水组成；所述的电解液中硅酸钠的浓度为12g/L～14g/L，六偏磷酸钠的浓度为20g/L～25g/L，氟化钾2CN109943874A权利要求书2/2页的浓度为12g/L～16/L，偏钒酸铵的浓度为5g/L～8g/L，EDTA的浓度为12