一种量子点及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111205859A(43)申请公布日2020.05.29(21)申请号202010058876.7C01G49/12(2006.01)(22)申请日2020.01.19C01G9/08(2006.01)B82Y20/00(2011.01)(71)申请人国家纳米科学中心B82Y40/00(2011.01)地址100190北京市海淀区中关村北一条11号(72)发明人张勇王卫彪陈哲学徐元清梁程(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋(51)Int.Cl.C09K11/56(2006.01)C09K11/58(2006.01)C09K11/60(2006.01)C09K11/06(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图3页(54)发明名称一种量子点及其制备方法(57)摘要本发明提供一种量子点及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将本体材料、助磨材料和球磨球混合并进行球磨，得到粗产物；(2)将步骤(1)得到的粗产物与溶剂混合得到混合液，将所述混合液超声，得到所述量子点。所述制备方法是一种自上而下的制备策略，以宏观尺度的本体材料作为原料，通过球磨和超声两种物理方法的协同组合对本体材料进行有效地破碎，最终得到粒径均一的纳米尺度的量子点。所述制备方法具有高效环保、操作简单、成本低廉等优点，适用于大规模生产，具有良好的应用前景，制备得到的量子点纯度高，分散性好，收率高，粒径均一，尺寸大小可控，对实现产业化应用及加速其工业化进程具有重要的指导意义。CN111205859ACN111205859A权利要求书1/2页1.一种量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将本体材料、助磨材料和球磨球混合并进行球磨，得到粗产物；(2)将步骤(1)得到的粗产物与溶剂混合得到混合液，将所述混合液超声，得到所述量子点。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述本体材料为本体粉末；优选地，所述本体材料包括金属本体材料和/或半导体本体材料；优选地，所述金属本体材料选自Au、Ag、Cu、Al、Pt、Pd、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi中的任意一种或至少两种的组合，进一步优选为Au、Ag、Cu、Pt、Fe、Co或Ni中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述半导体本体材料选自元素半导体、无机化合物半导体或有机化合物半导体中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述元素半导体选自Ge、Si、Se、C、P、B、Te、Sn、As或Sb中的任意一种或至少两种的组合，进一步优选为Ge、Si、Se、C、P或B中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述无机化合物半导体选自PbS、CdS、CuS、Cu2S、FeS、ZnS、PbSe、CdSe、CuSe、Cu2Se、FeSe、ZnSe、PbTe、CdTe、CuTe、Cu2Te、FeTe、ZnTe、GaN、InP、ZnO、TiO2、CdO、SiO2、Si3N4、SiC、GaAs、Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3、Cu3SbS4或Ag3SbSe4中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述有机化合物半导体选自萘、蒽、聚丙烯腈或酞菁中的任意一种或至少两种的组合；优选地，步骤(1)所述本体材料的粒径为0.1～10000μm，进一步优选为0.5～1000μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述助磨材料为无机助磨材料；优选地，所述无机助磨材料选自离子型化合物、氧化物或碳化物中的任意一种或至少两种的组合；+优选地，所述离子型化合物的阳离子选自IA族元素阳离子、IIA族元素阳离子或NH4中的任意一种或至少两种的组合；---2--3-2-优选地，所述离子型化合物的阴离子选自OH、Cl、NO3、SO4、HSO4、PO4、HPO4、-2--H2PO4、CO3或HCO3中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述氧化物选自二氧化硅、二氧化钛、二氧化锆、三氧化二铝或氧化锌中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述碳化物为碳化硅；优选地，步骤(1)所述助磨材料的粒径为50～10000nm，进一步优选为50～2000nm；优选地，步骤(1)所述本体材料与助磨材料的质量比为1:(1～100)，进一步优选为1:(5～30)。4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述球磨球的材料选自玛瑙、二氧化锆、不锈钢、调制钢、硬质碳化钨、氮化硅或烧结刚玉中的任意一种或至少两种的组合；优选地，步骤(1)所述球磨球的直径为0.5～20mm；优选地，步骤(1)所述本体材料与球磨球的质量比为1:(10～1000)，进一步优选为1:2C