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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111697346A(43)申请公布日2020.09.22(21)申请号202010648803.3(22)申请日2020.06.30(71)申请人安阳师范学院地址455000河南省安阳市弦歌大道436号(72)发明人胡丹王红燕刘子潇(51)Int.Cl.H01Q17/00(2006.01)G02B5/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器(57)摘要本发明提供一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器。该吸收器由多个吸收器单元构成,吸收器单元自下而上依次设置的底层金属(1),中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3),底层金属薄膜(1)、中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3)之间相互贴合。所述底层金属(1)是全金属薄膜,所述顶层花瓣形石墨烯(3)中有一个圆环形穿孔(4)。圆环形穿孔(4)的几何中心、花瓣形石墨烯(3)的几何中心、中间介质层(2)的几何中心、底层金属(1)的几何中心在一条直线上。本发明主要通过有限频域差分方法计算模拟出太赫兹波段吸收器的吸收光谱,对吸收器结构进行优化,具有在太赫兹波段实现两个宽带的超强吸收能力,并且可以有效调谐吸收率的幅值。本发明结构简单紧凑,易于加工。CN111697346ACN111697346A权利要求书1/1页1.一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:该吸收器由多个吸收器单元构成,吸收器单元自下而上依次设置的底层金属(1),中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3),底层金属(1)、中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3)之间相互贴合,所述底层金属(1)是全金属薄膜,所述顶层花瓣形石墨烯(3)中有一个圆环形穿孔(4),圆环形穿孔(4)的几何中心、花瓣形石墨烯(3)的几何中心、中间介质层(2)的几何中心、底层金属(1)的几何中心在一条直线上。2.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述每个吸收器单元的横剖面都为正方形,其边长p为28微米。3.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述花瓣形包括一个正方形和四个直径与该正方形边长相等的半圆,且四个半圆的直径侧与正方形的四边重合。4.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述圆环形穿孔(4)的内半径r2为3微米,外半径r3为5微米。5.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述底层金属(1)是金、银、铜或铝,其厚度tm为0.5微米。根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述中间介质层(2)是二氧化硅,其厚度td为30微米。6.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述花瓣形石墨烯(3)采用氧化石墨还原法来制作,花瓣形石墨烯(3)中圆环形穿孔(4)通过激光刻蚀来制作。7.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述花瓣形石墨烯(3)为单层原子排列结构。8.根据权利要求1所述的一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,其特征在于:所述底层金属(1)作为反射镜使用。2CN111697346A说明书1/3页一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器技术领域[0001]本发明涉及太赫兹技术领域,具体涉及一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器。背景技术[0002]太赫兹是介于微波与红外线之间的电磁波,被称作是“改变未来世界的十大技术”之一,在医学成像、公共安全、宽带移动通信、雷达探测等国防和民用领域具有巨大的应用前景。目前,太赫兹波检测被公认为是制约太赫兹技术发展的两大关键问题之一。而太赫兹波的吸收和能量捕获是实现太赫兹检测的基础,也是太赫兹波标定、调控、转换和应用的核心问题。因此,太赫兹宽带吸收技术成为了当前太赫兹技术领域研究的热点之一。[0003]传统的宽带吸收器设计主要通过多个微结构组合成一个大的共面单层结构单元或多层金属微结构的堆栈来实现宽带吸波器,但它们还拥有着一些缺点:一、吸波器的研究主要集中在一个宽带吸收,不利于实际应用;二、器件结构单元庞大不利于器件的小型化发展;三、结构复杂或多层结构堆栈增加器件制备的难度和准确度不利于器件的实用化和商业化;四、器件一旦制作出来,其吸收性能就很难改变,无法满足应用需求。目前所设计的吸收器也很难同时满足工作频带多、频带宽、吸收率高、极化无关、大角度斜入射不敏感等特点,因此设计多频带、频带宽、极化无关、结构简单的吸收器具有十分重要的现实意义。发明内容[0004]本发明的目的是提供一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器,具有吸收器覆