基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器.pdf
春兰****89
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相关资料
基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器.pdf
本发明涉及吸波器领域,具体是基于金属与石墨烯的可调控超宽带太赫兹吸收器,其包括由下至上依次设置的理想电导体层、介质层和双金属圆环,介质层内设置石墨烯层,双金属圆环由同心的第一金属圆环和第二金属圆环构成。石墨烯的表面电导率随费米能级变化,当改变石墨烯的化学势时,本发明可以实现宽带可调性,从而达到可调谐吸收的目的;本发明将双金属圆环和石墨烯层结合设计了一种超材料吸波体,使其不仅具有金属超材料吸波体的高吸收率,又具有石墨烯超材料的调控特性,具有宽带高吸收的特性。本发明结构简单,通过尺寸的比例变换,也可以实现其他
宽带石墨烯太赫兹可调吸收器.pdf
本发明公开了宽带石墨烯太赫兹可调吸收器及其方法。它包括太赫兹波输入端、第一石墨烯微结构层、第一硅介质层、第二石墨烯微结构层、第二硅介质层、金属条带层、太赫兹波输出端以及外加电压源;本发明的宽带石墨烯太赫兹可调吸收器具有可调,制作方便,吸收率高等优点,满足在太赫兹波通信技术、生物医学、太赫兹辐射领域应用要求。
一种金属-介质-石墨烯结构的超表面太赫兹宽带吸收器.pdf
本发明公开了一种金属‑介质‑石墨烯结构的超表面太赫兹宽带吸收器。所述宽带吸收器包括金属反射层、中间介质夹层和图案化石墨烯结构;图案化石墨烯结构包括若干个超表面图案化石墨烯周期单元;若干个超表面图案化石墨烯周期单元在中间介质夹层上表面周期性排列,形成共面层,金属反射层紧贴于中间介质夹层下表面;太赫兹平面波光源垂直照射在图案化石墨烯结构上,得到一段吸收宽带,实现宽带吸收,通过改变侧端栅电压来调节图案化石墨烯结构中石墨烯的费米能级,在侧端栅电压通电情况下,改变石墨烯的费米能级,进而实现基于石墨烯宽带吸收器的吸收
一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器.pdf
本发明提供一种基于石墨烯的太赫兹双宽带可调吸收器。该吸收器由多个吸收器单元构成,吸收器单元自下而上依次设置的底层金属(1),中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3),底层金属薄膜(1)、中间介质层(2)和顶层花瓣形石墨烯(3)之间相互贴合。所述底层金属(1)是全金属薄膜,所述顶层花瓣形石墨烯(3)中有一个圆环形穿孔(4)。圆环形穿孔(4)的几何中心、花瓣形石墨烯(3)的几何中心、中间介质层(2)的几何中心、底层金属(1)的几何中心在一条直线上。本发明主要通过有限频域差分方法计算模拟出太赫兹波段吸收器的吸收
一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器.pdf
一种基于单圆环石墨烯的太赫兹宽带可调吸收器,涉及吸收器。呈三层结构,从下而上依次为金属层(1)、介质层(2)、石墨烯层(3),三层结构之间相互贴合。所述金属层的材料为金或铜等良导体,金属层的厚度大于入射波的趋肤深度;所述介质层的材料为二氧化硅等绝缘体,介质层的厚度与吸波频段有关;所述石墨烯层由周期性单层石墨烯圆环结构组成。本发明具有可调、吸收率高、结构简单、易于加工、偏振不敏感等优势,满足在太赫兹波通信技术、探测、成像以及光电探测器等方面的应用要求。