非末端烯类液晶单体的顺反转位方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113548938A(43)申请公布日2021.10.26(21)申请号202011548394.6B01J23/30(2006.01)(22)申请日2020.12.23B01J37/08(2006.01)C09K19/30(2006.01)(71)申请人江苏广域化学有限公司C09K19/12(2006.01)地址225400江苏省泰州市泰兴市经济开发区中港路2号(72)发明人史海兵张招胜吴仕杰(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人张美月(51)Int.Cl.C07C5/22(2006.01)C07C13/28(2006.01)C07C15/50(2006.01)C07C41/32(2006.01)C07C43/225(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称非末端烯类液晶单体的顺反转位方法(57)摘要本发明提供了一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法。该顺反转位方法包括：在惰性气氛的存在下，使非末端烯类液晶单体的顺反混合物、钨酸和氢氧化镧进行异构化反应，得到反式非末端烯类液晶单体。钨酸和氢氧化镧能够发生反应，形成催化活性中间体；在上述催化活性中间体和惰性气氛的存在下，非末端烯类液晶单体的顺反混合物中的顺式结构能够转化为反式结构，从而大大提高非末端烯类液晶单体的反式结构的收率和纯度。同时上述顺反转位反应在无水环境下进行，催化剂为固态，非末端烯类液晶单体为液态，易于分离，从而能够实现催化剂的重复套用，降低工艺成本。此外上述工艺还具有较好的环保性。CN113548938ACN113548938A权利要求书1/2页1.一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶的顺反转位方法包括：在惰性气氛的存在下，使所述非末端烯类液晶单体的顺反混合物、钨酸和氢氧化镧进行异构化反应，得到反式非末端烯类液晶单体。2.根据权利要求1所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，在进行所述异构化反应之前，所述非末端烯类液晶单体的顺反转位方法还包括：在惰性气氛下，使催化剂载体、所述钨酸和所述氢氧化镧的混合物依次进行酸碱反应和焙烧，得到钨酸/镧元素改性催化剂；然后使所述钨酸/镧元素改性催化剂进行所述异构化反应。3.根据权利要求2所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述催化剂载体为蒙脱土。4.根据权利要求3所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述催化剂载体、所述钨酸和所述氢氧化镧的重量比为100:(10～30):(5～20)。5.根据权利要求3所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述酸碱反应的温度为90～100℃，反应时间为4～8h；所述焙烧过程的温度为120～150℃，反应时间为5～10h。6.根据权利要求1至5中任一项所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶单体的顺反混合物与所述钨酸/镧元素改性催化剂的重量比为100:(1～10)。7.根据权利要求6所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述异构化反应的温度为50～60℃，反应时间为5～8h。8.根据权利要求6所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述异构化反应在有机溶剂中进行，优选地，所述有机溶剂选自二氯乙烷、甲苯和正庚烷组成的组中的一种或多种。9.根据权利要求1至8中任一项所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶单体具有以下结构：所述R1选自(a)C1～C15的卤代或未取代的烷基，或上述基团中一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被‑(CO)O‑、‑O(CO)‑、‑(CO)‑或‑O‑形成的第一取代基，且所述第一取代基中两个氧原子不能直接相连，或者选自F、Cl、Br、CN、OH、CF3、OCF3、SCN、NCS或SF5；或(b)反式‑1，4‑亚环己基或亚环己烯基，或上述基团中的一个或两个不相邻的CH2基团可被‑O‑和/或‑S‑取代形成的第二取代基，且所述第二取代基中的至少一个H可被F代替；或(c)1，4‑亚苯基，或1，4‑亚苯基中的一个或两个CH基团被N代替，和/或一个或多个H原子可被Br、Cl、F、CN、C3～C6环烷基、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、单氟或多氟取代的C1～C10烷2CN113548938A权利要求书2/2页基或烷氧基取代形成的第三取代基；所述R2选自C1～C15的卤化或未取代的烷基，或上述基团中一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被‑(CO)O‑、‑O(CO)‑、‑(CO)‑或‑O‑形成的第四取代基，且所述第四取代基中两个氧原子不能直接相连。3CN113548938A说明书1/8页非末端烯