一种低温相变温致变色薄膜及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114516731A(43)申请公布日2022.05.20(21)申请号202210158571.2(22)申请日2022.02.21(71)申请人江苏城乡建设职业学院地址213000江苏省常州市殷村职教园和裕路1号(72)发明人林改刘德喜李晓波(74)专利代理机构中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙)44327专利代理师杨连华(51)Int.Cl.C03C17/34(2006.01)C03C17/36(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称一种低温相变温致变色薄膜及其制备方法(57)摘要本发明提供一种低温相变温致变色薄膜，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次设置有打底层、介质膜层、第一掺杂膜层、第二掺杂膜层、第三掺杂膜层、第四掺杂膜层和保护层，通过设置多层膜结构，提高了薄膜的光学性能，低温相可见光透过率也得到提升；通过在玻璃基板上喷涂光学吸收剂，其中光学吸收剂的共轭结构提升了基板的光学性能，同时具有良好的富电子性和氧化还原特性，使得玻璃基板与打底层的附着力更强，光学敏感度更高，对长波段的光具备高吸收率，波长较长的光被吸收，用于促使玻璃触发变色温度，保证波长较短的光可以透过玻璃，从而保证透出光的温度，进而保证使用过程中的舒适性。CN114516731ACN114516731A权利要求书1/2页1.一种低温相变温致变色薄膜，其特征在于：包括玻璃基板(1)，所述玻璃基板(1)上依次设置有打底层(2)、介质膜层(3)、第一掺杂膜层(4)、第二掺杂膜层(5)、第三掺杂膜层(6)、第四掺杂膜层(7)和保护层(8)，所述玻璃基板(1)上喷涂有光学吸收剂，所述第一掺杂膜层(4)和第三掺杂膜层(6)为钨钼共掺杂V2O5薄膜，所述第二掺杂膜层(5)和第四掺杂膜层(7)为铈铕共掺杂VO2薄膜。2.根据权利要求1所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述光学吸收剂为二维共轭二噻吩基苯并二噻吩对氟苯并三唑共聚物、非富勒烯受体和富勒烯受体中的任意一种。3.根据权利要求1所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述钨钼共掺杂V2O5薄膜中的钨、钼、钒的掺杂比例为1:1:13‑17。4.根据权利要求3所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述钨钼共掺杂V2O5薄膜的膜厚为300‑500nm。5.根据权利要求1所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述铈铕共掺杂VO2薄膜中的铈、铕、钒的掺杂比例为1:2:38‑45。6.根据权利要求5所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述铈铕共掺杂VO2薄膜的膜厚为80‑130nm。7.根据权利要求1所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述介质膜层(3)采用高折射率材料进行掺杂；所述高折射率材料为铌、锆中的一种或组合。8.根据权利要求7所述的低温相变温致变色薄膜，其特征在于：所述介质膜层(3)的膜厚为30‑50nm。9.根据权利要求1‑8任一项所述的低温相变温致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将玻璃基材通过气体流量为50‑150sccm的Ar、Rf进行等离子轰击1‑2min，功率为600‑1000W；步骤2：将光学吸收剂喷涂在经过等离子轰击后的玻璃基材上，制得基板；步骤3：在步骤2中的基板上以Ar气和O2气作为溅射气体，以硅铝作为靶材，气体流量100sccm:120sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备打底层；步骤4：在步骤3中的打底层上以Ar气和O2气作为溅射气体，以高折射率材料作为靶材，气体流量100sccm:120sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备介质膜层；步骤5：在步骤4中的介质膜层上以Ar气和O2气作为溅射气体，以钨、钼掺杂V2O5作为靶材，气体流量1000sccm:50sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备第一掺杂膜层；步骤6：在步骤5中的第一掺杂膜层上以Ar气和F2气作为溅射气体，以铈、铕掺杂V2O5作为靶材，气体流量700sccm:60sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备第二掺杂膜层；步骤7：在步骤6中的第二掺杂膜层上以Ar气和O2气作为溅射气体，以钨、钼掺杂V2O5作为靶材，气体流量1000sccm:50sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备第三掺杂膜层；步骤8：在步骤7中的第三掺杂膜层上以Ar气和F2气作为溅射气体，以铈、铕掺杂V2O5作为靶材，气体流量700sccm:60sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应溅射，制备第四掺杂膜2CN114516731A权利要求书2/2页层；步骤9：在步骤8中的第四掺杂膜层上以Ar气和N2气作为溅射气体，以硅铝作为靶材，气体流量400sccm:600sccm，使用磁控溅射法，交流电源反应