一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115044941A(43)申请公布日2022.09.13(21)申请号202210707268.3(22)申请日2022.06.21(71)申请人成都中建材光电材料有限公司地址610000四川省成都市双流区西航港街道空港二路558号(72)发明人朱兴月陈直郑林李小强南长斌孙艳容覃士敏张磊周毅潘锦功傅干华(74)专利代理机构成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237专利代理师李华温黎娟(51)Int.Cl.C25C1/22(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺(57)摘要本发明公开了一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，包括以下步骤：先将粗铟真空挥发熔炼；再将真空挥发熔炼后的粗铟铸成阳极板，进行电解，得阴极铟；将所述阴极铟洗涤、烘干、熔化铸锭，得5N高纯铟。本发明先将粗铟进行真空挥发熔炼以去除多项杂质，然后再经过一次电解，直接获得5N高纯铟，工艺流程简单，流程周期时间短，物料直收率高。CN115044941ACN115044941A权利要求书1/1页1.一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，包括以下步骤：粗铟真空挥发熔炼；将真空挥发熔炼后的粗铟铸成阳极板，进行电解，得阴极铟；将所述阴极铟洗涤、烘干、熔化铸锭，得5N高纯铟。2.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述电解过程中电解液的pH值为1.5～3.0。3.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述电解过程中电流密度小于14A/m2。4.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述电解过程的电解液组分包括硫酸、盐酸、氯化钠和明胶中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述电解温度为10℃～40℃。6.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述真空挥发熔炼可以去除粗铟中的铊、铅、镉、铋、锌、锑等杂质。7.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述阴极铟洗涤用超纯水清洗3～6次。8.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述烘干的温度为25～110℃。9.根据权利要求1所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，其特征在于，所述真空挥发熔炼温度：680‑1500℃，真空度小于100Pa。10.一种权利要求1～9任意一项所述的粗铟一次电解制备高纯铟的工艺得到的5N高纯铟。2CN115044941A说明书1/3页一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺技术领域[0001]本发明涉及冶金领域，具体为一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺。背景技术[0002]制备5N高纯铟的主要方法是氯化物法、电解精炼法、真空蒸馏法等，其中电解精炼法通常以粗铟为原料铸成阳极板，进行电解时，粗铟中的难除杂质为Pb、Tl、Sn、Cd，它们的电位与In相近，易于进入电解液中，影响电解的进行，尤其以Pb为甚，电解液的pH值的极小变化，都会因Pb导致阳极板钝化，严重影响电解的顺利进行，同时钝化后的阳极板即使是重新铸成阳极板后再使用，其效果也大不如前。[0003]且现有电解工艺采用多次电解的方法制备5N高纯铟(如图1所示)，而鲜有关于直接用粗铟为原料通过一次电解制备5N高纯铟的方法的报道，而现有的两次电解工艺技术流程复杂，工艺流程长，耗费时间，物料浪费率高。发明内容[0004]本发明为了解决现有技术中存在的缺陷，提供一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，可以将粗铟通过一次电解，直接获得5N高纯铟产品，缩短了流程，工艺简单有效。[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：[0006]本发明首先提供一种粗铟一次电解制备高纯铟的工艺，包括以下步骤：[0007]粗铟真空挥发熔炼；[0008]将真空挥发熔炼后的粗铟铸成阳极板，进行电解，得阴极铟；[0009]将所述阴极铟洗涤、烘干、熔化铸锭，得5N高纯铟。[0010]本发明先对粗铟进行真空挥发熔炼，以去除粗铟中的铊、铅、镉、铋、锌、锑等杂质，进行初步提纯；然后将初步提纯的铟铸成阳极板，进行电解，得到阴极铟；将阴极铟洗涤、烘干、熔化铸锭，最终得到5N高纯铟，改进后的工艺流程简单，可以将粗铟通过一次电解，直接获得5N高纯铟产品。[0011]优选的，所述电解过程中电解液的pH值为1.5～3.0。[0012]更为优选的，所述电解过程中电解液的pH值为2.0～3.0。[0013]优选的，所述电解过程中电流密度小于14A/m2，电流密度过大，则会导致电流过大，不利于电解，制得的产品等级低，pH值和电流密度直接关系到产品质量和提纯效率，属于关键参数。[0014]优选的，所述电解过程的电