一种半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115406848A(43)申请公布日2022.11.29(21)申请号202211011973.6(22)申请日2022.08.23(71)申请人徕泰信光（深圳）半导体有限责任公司地址518117广东省深圳市龙岗区坪地街道高桥社区教育北路49号4栋401(72)发明人张建国王广飞孟祥翔谢赛博杨冬雅(74)专利代理机构深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316专利代理师孟洁(51)Int.Cl.G01N21/31(2006.01)G01N21/01(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种半导体多层膜体系膜-膜间界面光吸收率的测试方法(57)摘要本发明涉及半导体多层膜技术领域。本发明提供了一种半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，通过构建参考膜、对比膜，参考膜和对比膜中所用基底、整体的厚度均完全相同，唯一不同的是参考膜和对比膜中高折射率薄膜、低折射率薄膜之间的界面层数不同，两者在中心波长处具有相同的光学特性，因此构建的参考膜和对比膜可以用于研究薄膜与薄膜界面之间的光吸收；通过本发明的方法可以测试多层膜体系的膜‑膜间界面光吸收，进而对薄膜‑薄膜间的界面吸收损耗进行评估；本发明的测试方法适用于不同折射率大小的薄膜之间的界面光吸收，也适用于不同厚度下的薄膜之间的界面光吸收，具有良好的通用性和拓展性。CN115406848ACN115406848A权利要求书1/1页1.一种半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：构建参考膜，所述参考膜包括：第一基底以及位于所述第一基底上相互叠加的第一高折射率薄膜、第一低折射率薄膜；构建对比膜，所述对比膜包括：第二基底以及位于所述第二基底上多个相互依次交错设置的第二高折射率薄膜、第二低折射率薄膜；所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料相同；所述第一低折射率薄膜、所述第二低折射率薄膜所用的材料相同；所述第一基底、所述第二基底的厚度以及所用的材料均相同；所述第一高折射率薄膜的厚度等于多个第二高折射率薄膜的厚度之和；所述第一低折射率薄膜的厚度等于多个第二低折射率薄膜的厚度之和；测试所述参考膜在中心波长下的光吸收率；测试所述对比膜在中心波长下的光吸收率；将对比膜中光吸收率减去参考膜光吸收率，得到光吸收率差值；将所述对比膜中第二高折射率薄膜、第二低折射率薄膜的界面层数减去所述参考膜中第一高折射率薄膜与第一低折射率薄膜的界面层数，得到界面层数差值；将光吸收率差值除以界面层数差值即得膜‑膜间界面光吸收率。2.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第二高折射率薄膜的厚度为第二高折射率薄膜的1/2波长的光学厚度。3.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第二低折射率薄膜的厚度为第二低折射率薄膜的1/2波长的光学厚度。4.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料包括Ta2O5、Ti3O5、TiO2、ZnS中的任一种。5.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜所用的材料包括SiO2、Al2O3、MgF2中的任一种。6.如权利要求4所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜所用的材料为TiO2，所述第一高折射率薄膜、所述第二高折射率薄膜的折射率为2.53。7.如权利要求5所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜所用的材料为SiO2，所述第一低折射率薄膜、第二低折射率薄膜的折射率为1.48。8.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一基底、所述第二基底均为透明基底。9.如权利要求1所述的半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法，其特征在于，所述第一基底、所述第二基底所用的材料包括7980玻璃、K9玻璃、氟化钙玻璃、熔融石英中的任一种。2CN115406848A说明书1/7页一种半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法技术领域[0001]本发明涉及半导体多层膜技术领域，尤其涉及一种半导体多层膜体系膜‑膜间界面光吸收率的测试方法。背景技术[0002]由于半导体制造是在硅片上加工出各种微观结构，因此除了原始的硅基材料外还需要通过沉积多层薄膜体系引入非硅材料(如非硅介质层、金属层)实现不同功能。半导体薄膜器件通常需要引入多种材料外，薄膜工艺还具有