像素阵列基板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115440745A(43)申请公布日2022.12.06(21)申请号202211226840.0(22)申请日2022.10.09(30)优先权数据1111198132022.05.27TW(71)申请人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹市(72)发明人李文仁来汉中锺承翰洪濬成郭汉浤(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称像素阵列基板(57)摘要一种像素阵列基板，包括像素驱动电路、第一绝缘层、接垫组及调节结构。第一绝缘层设置于像素驱动电路上。接垫组电性连接至像素驱动电路。调节结构设置于第一绝缘层上且电性连接至接垫组。调节结构位于接垫组与像素驱动电路之间。调节结构包括第一调节部及第二调节部。第一调节部的至少一部分重叠于接垫组。第二调节部设置于第一调节部外，且与接垫组错开。第一调节部对激光的吸收率高于第二调节部对激光的吸收率。CN115440745ACN115440745A权利要求书1/2页1.一种像素阵列基板，包括：一基底；一像素驱动电路，设置于该基底上；一第一绝缘层，设置于该像素驱动电路上；一接垫组，电性连接至该像素驱动电路；以及一调节结构，设置于该第一绝缘层上且电性连接至该接垫组，其中该调节结构位于该接垫组与该像素驱动电路之间，且该调节结构包括：一第一调节部，其中该第一调节部的至少一部分重叠于该接垫组；以及一第二调节部，设置于该第一调节部外，且与该接垫组错开，其中该第一调节部对一激光的吸收率高于该第二调节部对一激光的吸收率。2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一调节部具有一第一吸收区，该第一吸收区重叠于该接垫组，该第一吸收区的面积大于该接垫组的面积，且该接垫组于该基底上的一垂直投影位于该第一吸收区于该基底上的一垂直投影以内。3.如权利要求2所述的像素阵列基板，其中该第一调节部更具有一第二吸收区，该第二吸收区位于该第一吸收区周围且与该第一吸收区具有一间距，且该第一吸收区与该第二吸收区连接。4.如权利要求1所述的像素阵列基板，更包括：一第二绝缘层，其中该调节结构位于该第二绝缘层与该第一绝缘层之间；该第一调节部具有一第一金属层，接触于该第二绝缘层；该第一调节部及该第二调节部分别具有一第二金属层的一第一部分及一第二部分；该第一调节部的该第一金属层位于该第二绝缘层与该第二金属层的该第一部分之间；该第二调节部的该第二金属层的该第二部分接触于该第二绝缘层；该第一金属层对该激光的吸收率高于该第二金属层对该激光的吸收率。5.如权利要求4所述的像素阵列基板，其中该第一调节部及该第二调节部更分别具有一第三金属层的一第一部分及一第二部分，该第一调节部的该第三金属层的该第一部分、该第一调节部的该第二金属层的该第一部分及该第一调节部的该第一金属层沿着远离该基底的一方向依序堆叠，且该第二调节部的该第三金属层的该第二部分及该第二调节部的该第二金属层的该第二部分沿着远离该基底的该方向依序堆叠。6.如权利要求4所述的像素阵列基板，其中该激光的波长范围包括915nm～1064nm；该第一金属层的材质选自钛、锡或镍；该第二金属层的材质选自铝、银或铜。7.如权利要求4所述的像素阵列基板，其中该激光的波长范围包括400nm～550nm；该第一金属层的材质选自钛、铜、锡或镍；该第二金属层的材质选自银。8.如权利要求1所述的像素阵列基板，更包括：一第二绝缘层，其中该调节结构位于该第二绝缘层与该第一绝缘层之间；该第一调节部具有一第一金属层，接触于该第二绝缘层；该第二调节部具有一金属氧化物层，接触于该第二绝缘层；该第一金属层对该激光的吸收率高于该金属氧化物层对该激光的吸收率。9.如权利要求8所述的像素阵列基板，其中该第一调节部及该第二调节部更分别具有一第二金属层的一第一部分及一第二部分，该第一调节部的该第一金属层位于该第二绝缘2CN115440745A权利要求书2/2页层与该第一调节部的该第二金属层的该第一部分之间，该第二调节部的该金属氧化物层位于该第二绝缘层与该第二调节部的该第二金属层的该第二部分之间。10.如权利要求9所述的像素阵列基板，其中该第一调节部及该第二调节部更分别具有一第三金属层的一第一部分及一第二部分，该第一调节部的该第三金属层的该第一部分、该第一调节部的该第二金属层的该第一部分及该第一调节部的该第一金属层沿着远离该基底的一方向依序堆叠，且该第二调节部的该第三金属层的该第二部分、该第二调节部的该第二金属层的该第二部分及该第二调节部的该金属氧化物层沿着远离该基底的该方向依序堆叠。11.如权利要求9所述的像素阵列基板，其