像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113534528A(43)申请公布日2021.10.22(21)申请号202110860530.3(22)申请日2021.07.28(71)申请人深圳莱宝高科技股份有限公司地址518000广东省深圳市光明新区高新技术产业园区五号路9号(72)发明人乔传兴蔡昌宇颜金成赵约瑟(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414代理人赵智博(51)Int.Cl.G02F1/1335(2006.01)G02F1/1368(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板(57)摘要本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、像素结构的制作方法及阵列基板。通过在反射基底层上设有漫反射结构和镜面反射结构，且反射层覆盖于漫反射结构和镜面反射结构上，并呈现出对应漫反射结构和镜面反射结构的形状，入射光照射到反射层对应漫反射结构位置时，反射层对入射光进行漫反射；入射光照射到反射层对应镜面反射结构位置时，反射层对入射光进行镜面反射。因此，实现了对光的漫反射和镜面反射功能，从而使用该结构的显示装置具有高反射率，漫反射和镜面反射有利于增大侧向的可视角度，且无需在使用背光源结构，降低了整体功耗和节约了成本，同时产品还保留本身宽视角，高对比度的优点。CN113534528ACN113534528A权利要求书1/2页1.一种像素结构，其特征在于，包括：像素驱动结构、反射基底层以及反射层；所述反射基底层形成于所述像素驱动结构的一表面上，所述反射基底层背离所述像素驱动结构的表面设有漫反射结构以及与所述漫反射结构间隔设置的镜面反射结构；所述反射层覆盖于所述漫反射结构和所述镜面反射结构上，且所述反射层对应所述漫反射结构位置复制所述漫反射结构；所述反射层对应所述镜面反射结构位置复制所述镜面反射结构；其中，入射光照射到所述反射层对应所述漫反射结构位置时，所述反射层对所述入射光进行漫反射；所述入射光照射到所述反射层对应所述镜面反射结构位置时，所述反射层对所述入射光进行镜面反射。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述漫反射结构由多个散光凸起构成。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于：所述散光凸起为棱镜结构或者凸透镜结构。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述镜面反射结构为光滑平面。5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述反射基底层为单层结构构成的反射基底层；或者，所述反射基底层为多层结构层叠构成的反射基底层。6.如权利要求1至5任一项所述的像素结构，其特征在于：所述像素驱动结构包括依次层叠设置的栅极层、第一绝缘层、漏源极层、半导体层和像素电极层；所述栅极层、所述第一绝缘层、所述漏源极层和所述半导体层共同构成晶体管；所述栅极层具有多条栅极线；所述漏源极层包括源极层和漏极层，所述源极层具有多条源极线，多条所述源极线和多条所述栅极线相互交叉，并定义出多个像素区域；所述半导体层连接于所述源极层和所述漏极层之间；所述漏极层与所述像素电极层电性相连。7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述漫反射结构围绕所述镜面反射结构间隔排布。8.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括，以下步骤：S10：形成所述栅极层，经过第一道构图工艺在所述栅极层上形成所述栅极线图形；S20：在所述栅极层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极层；S30：在所述第一绝缘层上形成所述半导体层，经过第二道构图工艺在所述半导体层上形成半导体图形；S40：在所述第一绝缘层上形成所述漏源极层，所述漏源极层包括所述源极层和所述漏极层，经过第三道构图工艺在所述源极层上形成源极线图形以及在漏极层上形成漏极线图形；S50：在所述漏源极层上形成第二绝缘层，经过第四道构图工艺于所述第二绝缘层上开设像素漏极接触孔；S60：在所述第二绝缘层上形成像素电极层，经过第五道构图工艺于所述像素电极层上形成驱动线路图形、显示电极图形；且所述像素电极层上的漏极漏出所述像素漏极接触孔与所述漏极层电性连接S70：在所述像素电极层上形成所述反射基底层，经过第六道构图工艺于所述反射基底层上形成所述漫反射结构和所述镜面反射结构；S80：在所述反射基底层上形成所述反射层，经过第七道构图工艺于所述反射层上形成反射层图形。2CN113534528A权利要求书2/2页9.根据权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于：在步骤S10中还形成有公共电极层，经过所述第一道构图工艺在所述公共电极层上形成公共电极图形，所述公共电极层和所述栅极层位于所述第一绝缘层上；或者，在步骤S40中还形成有所述公共电极层，经过所述第三道构图工艺在所述公共电极