钼残靶再利用的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115971496A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310061501.XC23C4/134(2016.01)(22)申请日2023.01.17C23C4/137(2016.01)C23C4/08(2016.01)(71)申请人丰联科光电（洛阳）股份有限公司C23C14/34(2006.01)地址471031河南省洛阳市自由贸易试验B22F3/18(2006.01)区洛阳片区高新河洛路269号B22F3/17(2006.01)(72)发明人张雪风郭雅俊李帅方陈亚光C23C14/35(2006.01)张泽洋念雯雯(74)专利代理机构郑州知己知识产权代理有限公司41132专利代理师任海玲(51)Int.Cl.B22F8/00(2006.01)B22F3/04(2006.01)B22F3/10(2006.01)C23C4/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称钼残靶再利用的方法(57)摘要本发明属于溅射靶材技术领域，具体涉及一种钼残靶再利用的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将钼残靶切割为钼块；(2)将步骤(1)得到的钼块进行表面预处理；(3)将步骤(2)得到的钼块进行真空等离子喷涂；(4)将步骤(3)得到的钼块与钼粉混合装入胶套模具进行压制成型；(5)将步骤(4)得到的压制钼坯进行烧结；(6)热塑性变形步骤(5)得到的烧结钼坯，得到钼金属产品。本发明钼残靶再利用的方法钼残靶回收率达到95％以上，制备的钼金属产品纯度达到99.95wt％以上，满足靶材制备的指标要求，实现了靶材的循环利用，而且工艺简单，成本低廉，符合产业化推广使用的要求。CN115971496ACN115971496A权利要求书1/1页1.一种钼残靶再利用的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将钼残靶切割为钼块；(2)将步骤(1)得到的钼块进行表面预处理；(3)将步骤(2)得到的钼块进行真空等离子喷涂；(4)将步骤(3)得到的钼块与钼粉混合装入胶套模具进行压制成型；(5)将步骤(4)得到的压制钼坯进行烧结；(6)热塑性变形步骤(5)得到的烧结钼坯，得到钼金属产品。2.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(1)所述的钼残靶纯度≥99.95wt％，致密度≥99％。3.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(1)所述的钼块尺寸为：厚度5‑30mm，宽度5‑100mm，长度5‑500mm。4.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(2)所述的表面预处理包括：表面钝化和表面清洗，首先进行表面钝化，将钼块进行表面喷砂处理，所述喷砂处理采用的砂子粒度为‑400目；接着进行表面清洗，是将钼块依次进行碱洗、酸洗与烘干，所述碱洗为使用3‑5％浓度的氢氧化钠溶液进行清洗，然后水洗中和；所述酸洗为使用1‑2％浓度的硝酸或盐酸溶液进行清洗，然后水洗中和；所述烘干温度为80‑90℃，时间1‑3h。5.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(3)所述的真空等离子喷涂是通过真空等离子喷涂设备在钼块表面喷涂一层厚度为0.1‑0.3mm的高纯钼膜层。6.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(4)所述的钼粉的纯度≥99.95％，粒度为2.5‑4μm。7.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(4)所述的钼块与钼粉的质量比为5‑25：75‑95。8.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(4)所述的压制成型过程包括：首先将钼块与钼粉依次装入橡胶模具，钼块在钼粉中分布均匀且完全被钼粉包裹，然后进行冷等静压成型，冷等静压成型工艺条件为：压制压力200‑230MPa、保压时间5‑10min，最后泄压、脱模，得到中间包裹有钼块的压制钼坯。9.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(5)所述的烧结包括：将压制钼坯在真空或氢气保护气氛下进行高温烧结，所述的高温烧结温度为1830‑1980℃，保温时间为6‑12h。10.根据权利要求1所述的钼残靶再利用的方法，其特征在于，步骤(6)所述的热塑性变形为锻造和/或轧制，所述的热塑性变形的总变形量为45‑80％。2CN115971496A说明书1/6页钼残靶再利用的方法技术领域[0001]本发明属于溅射靶材技术领域，具体涉及一种钼残靶再利用的方法。背景技术[0002]钼是一种珍贵的稀有难熔金属，具有热导率高、电导率高、热膨胀系数低、高温强度高、耐磨性好、耐腐蚀性强和化学性质稳定等优异的物理化学性质。钼金属在电子、信息产业及玻璃镀膜领域发挥着举足轻重的作用，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、太阳能电池、激光存储器、电子控