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一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法,解决了现有的GaN生长制备过程中,GaN薄膜散热差、质量差、位错密度高、内部应力大、易开裂及GaN薄膜不易转移等问题。本发明包括如下步骤:步骤1:提供Cu单晶衬底;步骤2:在步骤1的Cu单晶衬底上生长h?BN薄膜层;步骤3:在步骤2的生长的h?BN薄膜层上生长低温GaN成核层;步骤4:在步骤3的生长的低温GaN成核层上持续外延生长GaN外延层;步骤5:将步骤4得到的高温GaN外延层降至室温获得平整的GaN单晶薄膜。本发明具有生成的GaN单晶薄膜散热好、质量好、位错密度低、粗糙度低、易剥离等优点。