改善铜带材翘曲的装置及改善铜带材翘曲的方法.pdf
书生****22
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改善铜带材翘曲的装置及改善铜带材翘曲的方法.pdf
本发明属于带材生产技术领域的改善铜带材翘曲的装置,本发明还涉及一种改善铜带材翘曲的方法。前S辊组(2)包括多个前辊件(2‑1),矫直单元工作辊组(4)包括多个上部工作辊(4‑1)和多个下部工作辊(4‑2),后S辊组(5)包括多个后辊件(5‑1),前S辊组(2)设置为能够对铜带带材进行驱动并且对铜带带材形成张力的结构,后S辊组(5)设置为能够对铜带带材(11)进行驱动并且对铜带带材(11)形成张力的结构,矫直单元工作辊组(4)设置为能够对铜带带材(11)形成振动力和下压力的结构。本发明所述的改善铜带材翘曲的
改善晶圆翘曲的方法.pdf
本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法,提供形成有沟槽的衬底和沉积机台,衬底上形成有硬掩膜层,将衬底置于沉积机台的工艺腔室中;在工艺腔室内的温度调节为第一温度,之后在衬底上沉积填充沟槽的第一薄膜层;在工艺腔室内的温度升高至第二温度,之后在第一薄膜层上沉积第二薄膜层。本发明在低温时沉积一定厚度的栅极层,实现沟槽填充;再将炉管升温沉积剩余厚度的栅极层;改善SGT产品翘曲的同时提升了产能。
改善晶圆翘曲的方法.pdf
本发明提供一种改善晶圆翘曲的方法,所述方法包括:提供一晶圆;于所述晶圆的正面形成保护层,于所述晶圆的背面形成应力层;通过刻蚀工艺刻蚀所述保护层及所述晶圆以形成隔离沟槽,并于所述隔离沟槽内及所述保护层未被刻蚀区域的表面形成填充氧化层;采用第一炉管工艺于所述应力层表面形成背封氧化层,同时于所述填充氧化层表面形成中间氧化层;去除所述中间氧化层、所述隔离沟槽之外的所述填充氧化层及所述保护层以形成浅沟槽隔离结构;去除所述应力层表面的所述背封氧化层。通过本发明实现了套用标准有源区工艺流程的同时不引入背面工艺,保留有源
铜带材加工方法及一种铜带材.pdf
本发明属于铜带材加工技术领域的铜带材加工方法,本发明还涉及一种铜带材。所述的铜带材加工方法加工步骤为:将连续拉铸的带坯进行加热处理;采用冷轧工序将带坯制成坯料铜卷:对坯料铜卷进行铣削;对铣面后的坯料铜卷进行冷轧,将半成品铜卷通过降低轧机速度,再将开卷张力设定为4.0±0.5Kg/mm<base:Sup>2</base:Sup>,经过慢速轧制后,最后道次张力设定为11±0.5Kg/mm<base:Sup>2</base:Sup>,配合轧制加工轧辊的低表面粗糙度Ra≤0.25,本发明的铜带材加工方法,在保证铜
一种改善AMB基板翘曲的方法.pdf
本发明涉及半导体技术领域。一种改善AMB基板翘曲的方法,所述AMB基板包括从上至下堆叠的上铜箔层、陶瓷基板以及下铜箔层,所述上铜箔层为图形面侧,所述上铜箔层的左端以及右端均设有长度方向为前后方向的条状图形,所述下铜箔为非图形面侧,所述下铜箔层上刻蚀有凹槽;所述AMB基板呈长方形AMB基板时,所述下铜箔层的左右两侧均刻蚀有从前至后排布的所述凹槽;所述AMB基板呈正方形AMB基板时,所述下铜箔层的左右两侧均刻蚀有从前至后排布的所述凹槽。本专利通过在AMB基板非图形面上设计凹槽,释放其热应力,以平衡图形面的应力